sle4442卡的存储结构与安全特性.pptxVIP

深圳职业技术学院 智能卡与RFID技术 电子信息工程技术专业资源库 SLE4442卡的存储结构与安全特性 深圳职业技术学院 毛丰江 多存储器逻辑加密卡—SLE4442 按字节操作，可反复应用 多存储器结构 ２５６ *８位 ＥＥＰＲＯＭ型主存储器。 ３２ *1位 ＰＲＯＭ型保护存储器。 ４ * ８位 ＥＥＰＲＯＭ型加密存储器 安全性：用户密码（3字节）+密码错误计数（3次）+PROM保护 ２线串行连接协议，满足 ISO7816同步传送协议 SLE4442存储结构 SLE4442存储器分配（一） 主存储器(main memory)：EEPROM型，256B 按字节操作，字节地址0~255（00H~FFH）， 所有单元可任意读取。 主存储器可分为两个数据区： 保护数据区：00H-1FH，用户密码+熔丝保护（擦除、写 当校验用户密码正确且熔丝未熔断时允许进行擦除和写入操作，否则不允许 熔丝：保护存储器中第n位（n=0~31）对应主存储器中第n个字节，1——未熔断，0——熔断。 应用数据区 ：20H-FFH。用户密码保护（擦除、写） SLE4442存储器分配（二） 保护存储器（protection memory)：PROM型，32bits 按位操作，位地址0~31 每位相当于主存储器保护数据区对应字节单元的控制熔丝（FUSE），相应位为1时