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新型硅雪崩漂移探测器及其能量分辨率研究 袁 俊，李红日，梁 琨*，杨 茹，韩德俊 北京师范大学核科学与技术学院 *lk@bnu.edu.cn 硅雪崩漂移探测器 （Avalanche Drift Detector，ADD） 发展历史及研究现状 ADD既可以作为大面积、高增益、小输出电容、快速响应、大动态范围的单光子探测器，也可以作为具有高探测效率、低暗计数率的SiPM单元模块。 ADD结合了硅漂移探测器SDD输出电容小和雪崩二极管APD高增益的优点，在保持SDD低输出电容的同时具有高的内部增益和探测效率。 雪崩漂移探测器ADD由Gintas Vilkelis等在2001年提出。 2005-2006年德国马普所Gerhard Lutz等人提出将背面入射ADD作为硅光电倍增探测器SiPM的基本单元，几何填充因子接近100%，使SiPM预期达到～80%的光探测效率。 目前马普所只制作出ADD中心雪崩结的简单测试结构。 新型正面入射雪崩漂移探测器结构 新型雪崩漂移探测器漂移区(a)电势分布模拟; (b)空穴电流分布模拟 北师大新器件实验室ADD制作流程 SiPM结合闪烁体可以用来探测X或γ射线，在核医学成像、高能物理等领域具有广泛的应用前景。 闪烁体探测器的能量分辨率 射线探测器系统的能量分辨率可以用谱峰的半高宽(FWHM)表示。 谱峰的总展宽主要受系统的