第14章 数字式传感器及工程应用.pptVIP

14.3.4 DS18B20的读/写时间隙： 　 DS18B20的数据读/写是通过时间隙处理位和命令字来确认信息交换的。 1.写时间隙：　　 写时间隙分为写“0”和写“1”，时序如图14-10所示。 图14-10 写时间隙时序 总线控制器要产生一个写时序，必须把数据线拉到低电平然后释放。若在写时序开始后的15μs内释放总线。总线被5K的上拉电阻拉至高电平，则表示控制器写“1”。而后则是芯片对总线数据的采样时间，采样时间为15~60μs。若在写时序开始后的15μs内不释放总线，并持续保持至少60μs，则表示控制器写“0”。 每一位的发送都应该有一个至少15μs的低电平起始位，随后的数据“0”或“1”应该在45μs内完成。整个位的发送时间应该保持在60~120μs，否则不能保证通信的正常。 2.读时间隙： 　 读时间隙也分为读“0”和读“1”两种情况，时序如图14-11所示。读时间隙时控制时的采样时间应该更加的精确才行，读时间隙时序也是必须先由主机产生至少1μs的低电平，表示读时间的起始。 图14-11 读时间隙时序 随后在总线被释放后的15μs中DS18B20会发送内部数据位，这时控制器如果发现总线为高电平则表示读出数据是“1”，如果总线为低电平则表示读出数据是“0”。每一位的读取之前都由控制器加一个起始信号