电子技术习题二级管和三级管.docVIP

二极管、三极管专题复习 一、填空题： 1．PN结具有________性能，加________电压时,PN结导通,加________电压时，PN结截止。 2．三极管是 控制器件，所谓放大作用，实质上是通过 的变化来控制 有较大变化。 3．半导体二极管的基本性能是 ，正向电压大于 电压时导通，导通后硅管的正向压降为 V，锗管为 V。 4．温度上升，二极管的反向饱和电流 。 (增大、减小 ) 5．已知某晶体三极管IB=0.2mA, IC＝4.0mA，则IE=______ m A, = = __ ___。 6. 输出特性曲线反映三极管________和________关系的特性曲线。 7． 8．PNP管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最高。NPN管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最低。 选择题： 1. 万用表测量电子线路中的晶体管测得= -3V、VCE=6V、VBC = -5.4V，则该管是 （ ）。 A、PNP型，处于放大工作状态 B、PNP型，处于截止工作状态 C、NPN型，处于放大工作状态 D、NPN型，处于截止工作状态 2．如图所示，V为理想二极管，则UAB为（ ）。 3．用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ）。 A．R×10KΩ挡 B．R×1Ω挡 C．R×100Ω或R×1KΩ挡 4．图2给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是由：___________。 （A）a和c组成 （B）a和d组成 （C）b和c组成 （D）b和d组成 a a b c d U I O 5．放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（ ）。 A. NPN硅管，E、C、B B. NPN硅管，C、B、E C. PNP锗管，E、C、B D. PNP锗管，B、C、E 6．测得放大电路中三极管三个电极对地电位如图所示，则该管为（ ）。 NPN型硅管,1脚为b极、2脚为c极、3脚为e极 PNP型锗管,1脚为e极、2脚为b极、3脚为c极 NPN型锗管,1脚为e极、2脚为c极、3脚为 b极 D. PNP型硅管,1脚为b极、2脚为c极、3脚为e极 7．在图2-9所示电路中，V为理想二极管，则A、B两端的电压为( )。 A、6V B、－6V C、12V D、－12V 8．在图2-10所示电路中，IE＝1.02mA，Ic＝1mA，则IB的大小和方向是（ ）。 A．向左,0.02mA B．向右，0.02 mA C．向左，2.02 mA D．向右，2.02mA 9．如图所示，三极管处于饱和状态的是（ ）。 10．如果二极管的正反向电阻都很大，则二极管的状态是（ ）。 A．正常 B．已被击穿 C． 内部断路 11、如图电路，输出电压为___________。 A．0V B．2.4V C．3.6V D．5V 5 5V 1 3.6V 2k 2k VO 三．判断题： （ ）1. PN结只要加正向偏置电压就能导通。 （ ）2. 稳压二极管正向使用也有稳压作用。 （ ）3. 半导体内部有两种载流子，一种是多数载流子，一种是少数载流子。 （ ）4. 少数载流子是空穴的半导体称为N型半导体。 （ ）5．晶体三极管具有能量放大作用。 （ ）6. 对于PNP型管，若VBE0，VBEVCE则该管饱和。 （ ）7. 三极管工作在放大状态的电压条件可以写为VBE0，VBC0。 （ ）8. 对三极管而言，当IC ICM，PC PCM时，管子的放大能力将下降。 （ ）9. 可利用两个二极管构成三极管。 （ ）10．对NPN管，当VBE0,VBEVCE,,该管工作在饱和状态。 分析计算题： 若测得某三极管IB=20μA时，IC=2mA；IB=60μA，IC=5.4 mA， 试求该管的β。 如图2所示的电路，，二极管正向压降0.7V，试判断图中 二极管是导通还