半导体制程概论chapter萧宏-公开课件（讲义）.ppt

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 6 微影技術 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 目標 列出組成光阻的四個成分 敘述正負光阻間的差異 敘述微影製程的程序 列出四種對準和曝光系統 敘述晶圓在晶圓軌道機、步進機整合系統中的移動方式. 說明解析度和景深、波長及數字孔徑的關係 簡介 微影技術 暫時將光阻塗佈在晶圓表面 轉移設計的圖案到光阻 IC製造流程的核心 佔40 到 50% 全部的晶圓製程時間 決定最小的圖形尺寸 微影技術的應用 主要的應用: IC 圖案化製程 其他的應用：印刷電路板， 銘板，印板等. IC 製造 IC 製造的製程流程圖 微影技術的要項 高解析度 高感光度 精確的對準性 精確的製程參數控制 低的缺陷密度 光阻 感光材料 暫時塗佈在晶圓上 將設計的圖案經由曝光轉印到晶圓表面 和照相機的底片的感光材料相似 正負光阻的比較 正負光阻的圖案化製程 光阻化學 始於印刷電路技術 1950年代後為半導體工業採用 圖案化製程的關鍵 分為正、負光阻兩種 光阻的基本成分 聚合體 溶劑 感光劑 添加劑 聚合體 有機固態材料 將設計圖案轉移到晶圓表面 藉由紫外線曝光時的光化學反應改變溶解度 正光阻: 從不可溶到可溶 負光阻: 從可溶到不可溶 溶劑 溶解聚合體成液體 稀釋光阻以便利用旋轉的方式形成薄膜層 感光劑 控制 並/或 調整光阻在曝光過程的光化學反應. 決定曝光時間和強度 添加劑 透過不同的化學添加以達到想要的製程，例如染料可以減少反射. 負光阻 大部分的負光阻是聚異戊二烯(polyisoprene) 光阻曝光後變成交連聚合體 交連聚合體有較高的化學蝕刻阻抗力. 未曝光的部分在顯影劑中將被溶解. 負光阻 負光阻 光阻的比較 正光阻 曝光的部分溶解於顯影劑 正光阻的圖像和光罩上的圖像相同 解析力較高 通常在IC 生產工廠使用 正光阻 主要是酚醛樹脂 醋酸鹽類的溶劑 感光劑是一種溶解抑制劑，會交連在樹脂中 曝光過程的光能會分解感光劑並破壞交連結構 使曝光的樹脂變的能夠溶解在液態的基底溶液(顯影劑) 問題 既然正光阻比負光阻可以達到較高的解析度，在1980年代之前為何人們不使用? 化學增強式光阻 深紫外線 (DUV), l ? 248 nm 光源: 準分子雷射 光強度遠低於水銀燈的 I-譜線 (365 nm)的強度 需要不同種類的光阻 化學增強式光阻 使用催化作用來增加光阻的有效感光度 光阻受到DUV光線照射時，光阻中會生成光酸(photo-acid) 曝光後烘烤(PEB)將晶圓加熱,而在催化反應中，熱能會驅使光酸擴散和增強感光度 光酸移除保護群 曝光的部份將被顯影劑移除 化學增強式光阻 光阻的要項 高解析力 光阻越薄，解析力越高 光阻越薄，對抗蝕刻和離子佈植能力也越 抗蝕刻能力高 好的附著力 製程的自由度較大 對於製程條件改變的容忍度也越大(製程較穩定) 光阻的物理性質 光阻效能的因素 解析力 附著力 曝光速率, 感光力和曝光光源 製程自由度 針孔 粒子和污染物的等級 階梯覆蓋(Step Coverage) 熱流量(Thermal Flow) 解析度的性能 在光阻層可以產生的最小開口或空間. 與曝光源和顯影過程等特別製程相關. 光阻薄膜越薄，解析度越高. 對抗蝕刻、離子佈質的遮蔽和無針孔則需要較厚的光阻薄膜 正光阻因為聚合體的尺寸較小，所以有較好的解析力. 光阻特性概要 微影製程 微影製程的基本步驟 光阻塗佈 對準和曝光 顯影 基本步驟, 舊技術 晶圓清洗 脫水烘烤 底漆層的旋轉塗佈與光阻 軟烘烤 對準和曝光 顯影 圖案檢視 硬烘烤 基本步驟, 先進技術 晶圓清洗 預烤和底漆層塗佈 光阻旋轉塗佈 軟烘烤 對準和曝光 曝光後烘烤 顯影 硬烘烤 圖案檢查 微影製程的流程圖 晶圓清洗 預烤與底漆層蒸氣塗佈 光阻塗佈 軟烘烤 對準和曝光 對準和曝光 曝光後烘烤 顯影 硬烘烤 圖案檢視 清洗晶圓 移除污染物 移除微粒 減少針孔和其他缺陷 增加光阻的附著力 基本步驟 化學清洗 超純水清洗 旋乾 微影製程, 清洗 較早期的方法 高壓氮氣吹乾 旋轉刷洗 高壓蒸氣吹乾 晶圓清洗製程 微影製程, 預備處理過程 脫水烘烤 移除晶圓表面的濕氣 提昇光阻和晶圓表面的附著力 通常的溫度是100 °C 和底層漆塗佈整合 微影製程,底層漆 提昇光阻在晶圓表面的附著力 廣泛使用: 六甲基二戊烷 (HMDS) HMDS 蒸氣塗佈在光阻自旋塗佈之前 在預烤製程中以臨場方式沉積在晶圓表面 在光阻塗佈前，以冷卻平板降溫 預烤和底漆層蒸氣塗佈 晶圓冷卻 晶圓在光阻塗佈前需