薄膜成长技术知识分享.pptVIP

，反之hgks則為Mass Transfer Control來 主導磊晶層之成長 。 成長速率為 ，N1是單位體積 下之矽原子數量（經驗值約為~5×1022cm–3） Cg=YCT，CT是單位體積之總氣體量，Y是矽 原子之莫耳(Mole)數比 ， 當hgks時，磊晶膜之成長速率為 ，反之hgks時成長速率為 。 2. 磊晶成長之問題 　　 磊晶層在成長時如遇到原晶片基座表面不均勻之所謂選擇性磊晶層(Selective Epitaxy Growth, SEG)。 　　 另外一個製程之問題即“Auto-doping”之現象，磊晶層與單晶基座之介面處之載子濃度不是陡峭(Abruptly)分佈 ，中最大之紅 外線長長度為 ，最小之紅外線波長長度則為 ，t為磊晶層之厚度，n是磊晶層折射線係，m為1,2,3…， θ是紅外線之入射角度，n是磊晶層折射係數，m為1,2,3…，θ是紅外線之入射角度。 ，υ是磊晶矽之成長速度，D是載子之擴展常數，t為成長時間 。 有關抑制Autodoping現象的方法有下列方式 (a)在矽晶片背面成長一層二氣化矽(SiO2)或氮化矽(Si3N4)材料 (b)低壓磊晶成長 (c)高溫烘烤 還有一個製程上之問題，那就是反應氣體在爐管之停滯層(Stagnant Layer)。 υ是氣體之流速 ，η是黏度(Viscosity) ，?是其密 度 ，其中c1和c2為經驗常數。 * 第四章 薄膜成長技術 薄膜成長或者稱薄膜沈積(Thin Film Deposition)技術，是指在一基板上(Substrate)成長一層同質(Homogeneous Structure)或者是異質(Hetero-structure)材料之技術。 金屬層、複晶矽薄膜(polycrystalline silicon)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)層都適用此種方法來沉積薄膜層。 4-1 薄膜沈積之原理 薄膜沈積技術可分為化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD)和物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)二種方法。而化學氣相沈積方法在半導體工業上最常用的是低壓化學氣相沈積方法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)與常壓化學氣相沈積方法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD) 以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的氣體種類有關 爐管的溫度高於550℃＋SiH4→複晶矽薄膜 爐管的溫度約485℃ ＋Si2H6 →複晶矽薄膜 氧氣和SiH4在爐管內→二氧化矽(SiO2)層 氨氣和SiH2Cl2在爐管內→ Si3N4 電漿(plasma) 是一群中性分子(氣體)中有一部分帶正電，一部分帶負電，而正負電賀立子數目接近相等，故整體電將呈現電中性，其活性皆很強。 由中性原子或分子、負電(電子)和正電(離子)所構成。電子濃度對所有氣體濃度的比例被定義為游離率(ionization rate) 薄膜沉積之機制 4-2 低壓力化學氣相沈積法 (Low Pressure Chemical Vapor  Depostition, LPCVD) 1. 複晶矽材料之沈積： 2. 氧化矽和氮化矽材料之沈積： 以低溫製程來沉積 此兩種絕緣材料作內層介電層，內金屬介電層以及作保護層之用 低溫之電漿加強式化學氣相沉積(Plsma Enhanced Vapor Deposition,PECVD) 反應溫度藉高能量之電漿效應，使溫度得以降低 磷矽玻璃(Phosphosilicate Glass,PSG) PSG材料和氮化矽材料均可以阻擋水氣，更可以防止鹼金屬之擴散，很適合做鈍化保護層 氮化矽(silicon nitride)之成長 PECVD之化學反應式為： LPCVD爐之化學反應式則為 或者 4-3 磊晶矽晶片之成長技術 磊晶之原文，Epi-taxy是希臘文，原意是在上面有秩序的(Upon-order)排列，而磊晶晶片即是用一簡單之製程，在一有結晶狀之基座(Substrate)上面成長單晶結構之物質，以目前製程上之應用，可分為同質之磊晶晶片(Homoepita