刘恩科半导体物理课后习题答案第六章唯一版.pptVIP

PowerPoint2003 第六章 6－1 6－2 6－3 6－4 6－5 6－7 6－8 6－9 6－10 6－11 6－12 6－13 6－14 令 ，则 ， 改变边界条件：令 ，由1式 令 ，则 ， 返回 分别计算硅 结在正向电压为0.6V，反向电压 40V时的势垒宽度。已知 ， 解答： 当 时， 当 时， 分别计算硅结在平衡和反压45V时的最大场强，已知 ， 。 解答： 由6－79式： ， 当 时， 当 时， 返回 高阻区杂质浓度为 ， ， 求击穿电压。 解答： 若 ， 注意：体重深结杂质浓度梯度 ，故不是线性结。 返回 * 半导体物理学习题 第六章 6－1 6－2 6－4 6－5 6－7 6－8 6－9 6－10 6－11 6－12 6－13 6－14 若 ，求 室温下Ge突变p-n结的 解答： 返回 试分析小注入时，电子（空穴）在五个区域中的运动情 况（分析漂移与扩散的方向及相对大小） 解答： 小注入时，外压基本上降在势垒区，中性区和扩散区中 电场很弱。 对 结，势垒区产生复合为零，因为在势垒区内 电压大于零，使势垒区电场减弱，电子（空穴）扩散大 于漂移，电子由n区扩散区到p区扩散区，空穴由p区扩 散区到n区扩散区。 p区侧的电子扩散区（ ）：由n区到 的电子