CMOS晶体管基础教学讲义.pptVIP

二 CMOS晶体管基础;1、工作原理;线宽(Linewidth), 特征尺寸(Feature Size)指什么？;Lmin、 Wmin和 tox 由工艺确定 Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size) 决定MOSFET的速度和功耗等众多特性 L和W由设计者选定 通常选取L= Lmin，由此，设计者只需选取W W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗;②，VGS=Vthn时;6/22/98年春;沟道夹断;2、阈值电压（Threshold Voltage）;对于一般工艺，Vtn= 0.83V(NMOS的阈值电压), Vtp= - 0.91V(PMOS的阈值电压）, 阈值电压由工艺参数决定;3、MOSFET?? I-V 特性 (线性区Triode Region);MOSFET I-V 特性 (饱和区Saturation Region);当晶体管被夹断(pinchoff)时, 发生了什么? 增大 VDS 使耗尽区扩大到沟道中. 这导致ID 随 VDS 的增加而增大. 因此ID 可写为:;MOSFET I-V Characteristics(伏安特性）曲线;线性区(Linear):;4、MOS Capacitance;Capac