半导体器件物理提纲.ppt

PN 结 平衡PN结 空间电荷层和内建电场的形成过程； 空间电荷层、耗尽层和势垒区的定义； 能带图、空间电荷层的电场和电势分布； 加偏压的PN结 能带图和载流子分布图； 载流子的输运过程（电子电流与空穴电流的转换过程）； 理想二极管的电流电压方程； 复合电流和产生电流； 隧道电流的产生条件和在各种偏压下的能带图，并可以用能带 图解释隧道电流的产生机理； 隧道二极管及其优点； 理想二极管的I-V与温度的关系； 耗尽层电容和扩散电容 PN 结 PN结二极管的开关特性 电路图以及开关过程并解释电荷贮存和反向瞬变的概念 PN结击穿机理 热击穿、雪崩击穿和齐纳击穿的定义； 产生雪崩击穿的条件； 影响雪崩击穿的因素； 雪崩倍增因子和电离系数的定义； 雪崩击穿和齐纳击穿的区别； PN结二极管的等效电路 金属－半导体结 金属－半导体接触能带图（加偏压和未加偏压）； 界面态的定义以及对势垒高度的影响； 镜像力对势垒高度的影响。（会画镜像力降低势垒高度的图); 肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同点； 欧姆接触的定义； 实现欧姆接触的方法； 双极结型晶体管 晶体管放大工作时的电流分布； 共基极直流电流增益和共射极直流电流增益的定义以及两者的关系，提高电流增益的途径； 共基极和共射极接法时的输入输出特性曲线，并解释两者的异同点； 双极晶体管四种工作模式下的能带图、少子分布图以及基区少子满足的边界条件； E-M 方程和电路图； 缓变基区晶体管的定义以及其中内建电场产生机理和方向。 双极结型晶体管 电流集聚效应、基区宽度调变效应和科尔克效应； 大注入内建电场的形成机理； 共基极截止频率、共发射极截止频率和增益?带宽乘积的定义及三者的关系； 晶体管的时间延迟，截止频率与时间延迟的关系； 晶体管的开关特性和相应电路图，并解释如何降低延迟时间； 共射极和共基极电路的击穿电压； 穿通击穿； PNPN晶体管的电流－电压特性图并解释其工作原理； JFET场效应管 JFET和MESFET的基本结构示意图和工作原理； 夹断电压、沟道夹断； JFET的小信号等效电路及各参数的物理意义； 如何提高JFET的截止频率； 沟道长度调制效应； 漏极击穿的机理； FET的类型和电学符号； MOSFET MOSFET的基本结构示意图和工作原理； 理想MOS电容在各种偏压下的 能带图； 形成反型层的条件； MOS电容的C-V特性曲线，功函数差、氧化层中的电荷和界面态对C-V曲线的影响； 阈值电压的表达式并说明各项的物理含义； 跨导的物理意义； 亚阈值特性的定义以及其特点； 各种类型的基本结构示意图和输出特性曲线； MOSFET 短沟道效应； 器件小型化的常用方法； 小信号等效电路以及各参数的物理含义； BJT和MOSFET的区别； CTD CTD的定义和类型； MOS电容的深耗尽状态； 信息电荷的转移机制的种类； 丰零工作模式 * *