薄膜材料3教材课程.ppt

当离子入射到靶材时，其一是物质溅射，其二是二次电子的发射。 离子轰击引起二次电子发射，后者在电场的作用下获得能量，进而参与气体分子的碰撞，并维持气体的辉光放电过程。 溅射产额 溅射是一个在离子与物质表面原子碰撞过程中发生能量与动能转移，最终将物质表面原子激发出来的复杂过程。 靶材释放出的各种粒子中，主要是溅射出来的单个原子，另外还可能有很少量的原子团或化合物的分子，离子所占比例较少，一般只有1%~10%。 溅射产额是被溅射出来的物质的总原子数与入射离子数之比，它是衡量溅射过程效率的一个参数。 影响溅射产额的因数 （1）入射离子的能量 只有当入射离子的能量超过一定的阈值后，才会出现被溅射物质表面原子的溅射。 每种物质的溅射阈值与入射离子的种类关系不大，但与被溅射物质的升华热有一定比例关系。 大部分金属的溅射阈值在10~40eV之间，约为其升华所需能量的几倍。 影响溅射产额的因数 （2）入射离子种类和被溅射物质种类 由a图可见，元素的溅射产额呈现明显的周期性，即随着元素外层d电子数的增加，其溅射产额提高，因此Cu、Ag、Au等元素的溅射产额明显高于Ti、Zr、Nb、Mo、W等元素的溅射产额。 由b图可见，使用惰性气体作为入射离子时，溅射产额较高，且重离子的溅射产额明显高于轻离子。通常均采用Ar离子作为薄膜溅射沉积时的入射离子。 影响溅射产额的因数 （3）离子入射角度对溅射产额的影响 随着离子入射方向与靶面法线间夹角?的增加，溅射产额先是呈现1/cos?规律的增加，即倾斜入射有利于提高溅射产额。当入射角接近80°时，产额迅速下降。 在一般情况下，元素的溅射产额多处于0.01~4之间。 影响溅射产额的因数 （4）靶材温度对溅射产额的影响 在一定温度范围内，溅射产额与靶材温度的关系不大。 当温度达到一定水平后，溅射产额会发生急剧上升。原因是温度升高之后，物质中原子间的键合力弱化，溅射的能量阈值减小。 在实际薄膜沉积过程中，需要控制溅射的功率以及溅射靶材的稳升。 溅射法与蒸发法在保持确定的化学成分方面具有巨大差别的原因： 溅射法易于保证所制备的薄膜化学成分与靶材的成分基本一致。 与不同元素溅射产额间的差别相比，元素之间在平衡蒸气压方面的差别太大。 在蒸发的情况下，被蒸发物质多处于熔融状态，源物质本身将发生扩散甚至对流，从而表现出很强的自发均匀化的倾向，在持续的蒸发过程中，这将造成被蒸发物质的表面成分持续变动。 而溅射过程中靶物质的扩散能力较弱，由于溅射产额差别造成的靶材表面成分的偏离很快会使靶材表面成分趋于某一平衡成分，从而在随后的溅射过程中实现一种成分的自动补偿效应：溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降；而溅射产额低的元素得到富集，溅射速率上升。最终结果是，尽管靶材表面的化学成分已经改变，但溅射出来的物质成分却与靶材的原始成分相同。 合金的溅射和沉积 要使合金靶材的表面成分达到上述溅射的动态平衡所对应的成分，需要经过一定的溅射时间。预溅射层的深度一般需要达到几百个原子层左右。 溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能，一般可达5?20eV。 随着入射离子能量增加，溅射原子的平均能量呈上升趋势。高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力，另一方面也会引起衬底温度的升高。 溅射过程产生少量的溅射离子，它们具有比溅射出来的原子更高的能量。 溅射原子具有很宽的能量分布范围，平均能量?10eV。而蒸发法获得的原子动能只有0.1eV。 在溅射沉积过程中，引起衬底温度升高的能量来源： 原子的凝聚能。 沉积原子的平均动能。 等离子体中的其他粒子，如电子、中性原子等的轰击带来的能量。 与蒸发法相比，溅射沉积方法的主要特点： 沉积原子的能量较高，因此薄膜的组织更致密、附着力也可以得到显著改善。 制备合金薄膜时，其成分的控制性能好。 溅射的靶材可以是极难熔的材料，方便地用于高熔点物质的溅射和薄膜的制备。 利用反应溅射技术，从金属元素靶材制备化合物薄膜。 由于被沉积的原子均携带一定的能量，因此有利于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜表面的粗糙度。 在蒸发法的情况下，虚线处的薄膜有较高的沉积速率，因为这一位置相对于蒸发源具有较为有利的位置和角度，可以接受四面八方入射来的原子。 在溅射沉积的情况下，入射的粒子携带有一定的能量，由于倾斜入射的粒子具有较高的物质溅射产额，这导致粒子在轰击薄膜表面的同时，会对虚线部分的沉积物产生再溅射的现象，改变薄膜在台阶处的覆盖能力。溅射法制备的薄膜表面具有较好的平整度。 溅射沉积装置 靶材：纯金属，合金，各种化合物。金属与合金靶材可以通过冶炼或粉末冶金的方法制备，其纯度及致密性较好；化合物靶材多采用粉末热压的方法制备，其纯度及致密性往往逊于前者。 主要溅射方法：直流溅射；射频溅射