现代光学导论-源的优化和发射原理.pptVIP

源的优化 源的发射原理：热电子发射，场致发射以及离子发射等 发射尖的具体结构尺寸，栅极或者吸极的结构和电位，阳极的结构和电位 源的参数：束能、交叉斑直径、束流、亮度、束流密度 优化量：最优栅极偏压、栅极内径、阳极与栅极的距离 透镜系统的设计 M为系统的放大倍数，do为源直径， （ ， 是物方束半角）为系统球差弥散圆的直径，（ ）为系统色差弥散圆的直径 物镜的设计（直接决定了分辨率）低球差系数和色差系数 聚光镜的设计（满足照明束斑直径的要求） 透镜系统的设计 电子束光刻技术 E-Beam Lithography 三. 电源系统（高压） 三.电源系统（高压） 高压电源电子线路 它与光学聚光透镜的原理相同，能够聚焦电子束的束径，使电子最大限度的到达曝光表面 电磁透镜 消像散器 由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。 消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正 偏转器用来实现电子束的偏转扫描。 偏转器 物镜 将电子束进一步聚焦缩小，形成最后到达曝光表面的电子束斑。 除以上部分外，电子束曝光系统还包括束流检测系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、图形发生器等。 最小束直径：直接影响电子束直写的最小线宽。 加速电压：一般10~100keV，电压越高，分辨率越高，邻近效应越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂层。 电子束流：束流大，曝光速度快，但是束斑尺寸大，分辨率低。 3.CABL9000C电子束曝光系统及关键参数 日本CRESTEC 公司生产的CABL9000C 2nm，最小尺寸20nm 30keV 常用：25~100pA 扫描场大小：扫描场大，大部分图形可在场内完成，可避免多场拼接；扫描场小，精度高。 拼接精度：图像较大，需要多个场拼接。 60~600um 20~50nm 生产公司 美国Vistec 日本Crestec 型号 VB300 CABL9000C 最大电子束能量/keV 100 30 扫描速度/MHz 50 1 最小曝光图案/nm 10 20 扫描场尺寸 164um~1.2mm 60um~600um 价格/USD 6~9 Million 1Million 评价 商业用，性能高，价格高 电子束曝光与电镜两用，价格低 4.电子束曝光的工艺程序 4.1抗蚀剂工艺 PMMA优点：分辨率高（10nm），对比度大，利于剥离技术，价格低 缺点：灵敏度较低，耐刻蚀能力差 HSQ ：负胶，极高的分辨率（10nm），邻近效应小，灵敏度很低 ZEP-520优点：分辨率高（~20nm），灵敏度较高，耐刻蚀 缺点：去胶较难 稀释剂：ZEP-A（苯甲醚） 绘制曝光图案 样品传入（样品为导体或半导体） 选择束电流 低倍聚焦 选定曝光位置 在Au颗粒处调整像散 高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位 参数设定（位置、剂量、图案数量等） 样品曝光 样品取出显影（ZEP-N50，1min） 曝光图案观察 4.2电子束曝光工艺 电子束入射到抗蚀剂后，与抗蚀剂材料中的原子发生碰撞，产生散射。 4.3电子束曝光中的邻近效应 邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个图形的边界也会由于邻近效应而扩展。 邻近效应的校正 剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光剂量。 将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布（每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同的区域分配曝光剂量。 缺点：计算复杂，需要CAPROX等专业软件； 计算假设每一图形内部剂量一致，误差存在 图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。 邻近效应的校正 缺点：校正的动态范围小 1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场变化在0.2uT以下。 2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一般都在100keV。 3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。 4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。 5. 电子束曝光的极限分辨率 电子束曝光100nm的微细图形很容易制出，但是小于50nm的图形却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率与多个因素有关： 3.1成像系统仿真与调试 3.1.1磁透镜及Munro软件简介： 磁透镜成像原理简介： 三、课题研究内容 3.1成像