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(2）光刻的工艺过程 原图 曝光 显影 坚模 去胶 腐蚀 前烘 衬底加工 涂光刻胶 光刻掩膜版制备 1)原图和掩模版的制备 　　原图制备首先在透明或半透明的聚脂基板上，涂覆一层醋酸乙烯树脂系的红色可剥性薄膜，然后把所需的图形按一定比例放大几倍至几百倍，用绘图机刻制可剥性薄膜，把不需要部分的薄膜剥掉，制成原图。 掩膜版制备　 　　在半导体集成电路的光刻中，为了获得精确的掩膜版，需要先利用初缩照相机把原图缩小制成初缩版然后采用分步重复照相机将初缩版精缩，使图形进一步缩小，从而获得尺寸精确的照相底版。再把照相底版用接触复印法，将图形印制到涂有光刻胶的高纯度铬薄膜板上，经过腐蚀，即获得金属薄膜图形掩膜版。 2)涂覆光致抗蚀剂 　　光致抗蚀剂是光刻工艺的基础，它是一种对光敏感的高分子溶液。根据其光化学特点，可分为正性和负性两类。 　　凡能用显影液把感光部分溶除而得到和掩模版上挡光图形相同的抗蚀涂层的一类光致抗蚀剂，称为正性光致抗蚀剂，反之则为负性光致抗蚀剂。 　　在半导体工业中常用的光致抗蚀剂有：聚乙烯醇一肉桂酸脂泵(负性)、双迭氮系(负性)和酯-二迭氮系(正性)等。 3)曝光 　　曝光光源的波长应与光刻胶感光范围相适应，一般采用紫外光，其波长约0.4μm。 　　曝光方式常用的有接触式曝法，即将掩模版与涂有光致抗蚀剂的衬底表面紧密接触而进行曝光。另一种曝光方式是采用光学投