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硅麦克风(硅基驻极体电容话筒);主要内容:;驻极体电容话筒的基本原理;声压作用于振膜,使其振动
电容量随振膜和背极间距D变化
电容量C变化等同于电荷量Q变化
振动信号转换成电流信号;硅麦克风的一般结构;微电子机械系统(MEMS);硅麦克风研发的技术难点;
薄膜生长技术:
薄膜生长常用技术:化学气相淀积(CVD)
LPCVD:技术成熟,但薄膜张应力非常大,极易破裂,成品率不高的原因之一;膜柔性差,灵敏度无法提高。
lpcvd氮化硅密度2.9-3.1 pecvd 密度2.4-2.8
APCVD:形成的薄膜张应力小,破损率低,
PECVD:需要的温度比较低(300℃ ),但
反应条件要求高,设备成本高。
;薄膜厚度的精确控制:太厚影响灵敏度;太薄影
响驻极体电荷储存及寿命,破损率也要考虑。
二氧化硅厚度控制与测量
氮化硅厚度控制与测量
Al膜厚度的控制与测量
? 成品率:
背极成品率可以做到95%以上
振膜成品率较低,微结构设计参数以及可靠的保护措施对成品率都有明显的影响;两芯片粘合问题:
粘合技术:手工点胶粘合
后语:
结构设计的优劣,依赖精确的参数实现
;硅麦克风的特点及应用前景;适用范围:
(1) 电子类:
手机,笔记本,PDA,DV,
DC,mini麦,mp3,MD player……
(2) 建筑类:
会场音响系统,教学场所,娱乐场所……
(3) 民用,医用等:
助听器,窃听器……
(4) 军用:
远距离侦查,遥感飞行器,声控系统…;光传声器;使用时光波经过发送光纤耦合到波导芯片中
通过这个波导发送的光波带有斜坡的硅隆起部分收集,并且耦合到接收光纤中去
声波调制着空腔波导的高度,并因而造成光波幅度和相位的变化,它的频率响应直到大约4kHz是平坦的,灵敏度为0.033弧度/pa
原型等效噪声级46dB; 声波(声压)
振动(源信号)
对振动特性检测,接收(不拘泥于形式)
转换成电流(或其??)信号(目标信号)
传输至目标
转化为声音
;光麦小品;关键在于:
如何检测,接收衍射条纹的变化
检测装置的原理和生产工艺将是最大的难题和成本考虑!;结束语;
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