电工电子技术教学课件作者谢国民5.pptVIP

５.５　场效应管 ５.５.２　绝缘栅型场效应管 目前应用最广泛的绝缘栅型场效应管是一种金属氧化物半导体结构的场效应管,简称为MOS (MetalOxideSemiconductor)管.因其栅极与源极间的电阻可达１０９～１０１５ Ω,温度稳定性好,且集成化工艺简单,而得以在大规模和超大规模集成电路中广泛应用. １．N沟道增强型MOS管 １)结构 图５-１９是N 沟道增强型MOS管的结构示意图.以低掺杂的P型半导体为衬底,在衬底上面的左、右两边制成两个高掺杂浓度的N 型区,用N＋ 表示,并各引出两个电极,分别称为源极S和漏极D,管子的衬底也引出一个电极称为衬底引线b.管子在工作时b通常与S相连接.在这两个N＋ 区之间的P型半导体表面做出一层二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上面喷一层金属铝电极,称为栅极G.图５-１９ (b)是N 沟道增强型MOS管的符号. 上一页 下一页 返回 ５.５　场效应管 P沟道增强型MOS管是以N 型半导体为衬底,再制作两个高掺杂浓度的P＋ 区做源极S和漏极D,其符号如图５-１９ (c)所示,衬底b的箭头方向是区别N 沟道和P沟道的标志. ２)工作原理 由结构可知,栅极和衬底相当于两个极板,中间是绝缘层,形成类似电容的结构.当栅源电压变化时,将改变衬底靠绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极的电 流.这就是场效应管的命名由来.具体工作过程如图５-２０所示.当UGS＝０