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欢迎共享！ DATE \@ yyyy-M-d 2011-8-7 直拉单晶硅国标相关知识汇总 参考标准： 硅单晶 GB/T12962-2005 硅片径向电阻率变化测定方法 GB/T11073 硅单晶电阻率的测量 GB/T1551-2009 代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T1558-2009 光电衰减法测硅和锗体内少子寿命测定 GB/T1553-2009 红外吸收光谱测量硅晶体中间隙氧 GB/T1557-2006 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1550 1. 径向电阻率变化 1）定义：晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（晶片半径的1/2处或靠晶片边缘处）的电阻率之间的差值。差值与中心值的百分数即为径向电阻率变化。 2）测量方法：GB/T11073规定径向电阻率变化的测量方法为：用四探针法测量硅片中心点和设定点的电阻率。按以下公式计算：RV=（ρM－ρC）/ρM×100% 其中：ρM为硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。 ρC为硅片半径中点或距边缘6mm处，90°间隔4点电阻率的平均值。 3）国标对径向电阻率变化的要求：GB/T12962-2005规定掺杂硼元素的P型单晶（直径为200mm的）电阻率范围为：0.0025～60Ω·cm。 其径向电阻率变化为：0.0025～0.1Ω·cm ≤12% 0.1～60Ω·cm ≤5% 2. O、C含量 GB/T12962-2005规定直拉硅单晶的间隙氧含量应小于1.8×1018a/cm3 (36ppma)，具体指标应根据客户要求而定。其测定的依据标准为：GB/T1557-2006。 替位碳含量应小于5.0×1016a/cm3? (1ppma)，其测定的依据标准为：GB/T1558-2009 利用红外吸收光谱测量间隙氧的有效范围从1.0×1016a/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。 3．少子寿命 GB/T1553-2009规定用光电导衰减法不能测量硅单晶抛光片的少子寿命。本方法测量硅单晶的少子寿命单个实验室测量的精密度为±20%。 本方法可以测的最低寿命值为10μs,而最高可测寿命值主要取决于试样的尺寸和抛光的表面。所要求的试样尺寸和最高可测寿命值如下： 表1 少子寿命分析试样标准尺寸类型 试样尺寸类型 长度 宽度 厚度 A 15.0mm 2.5mm 2.5mm B 25.0mm 5.0mm 5.0mm C 25.0mm 10.0mm 10.0mm 表2 光电导衰减法可测的最高寿命值 最高可测寿命值 材料类型 A B C P型硅 90μs 350μs 1300μs 4. 晶棒直径 GB/T12962-2005规定硅单晶直径及其允许的偏差为：200±0.3mm (指加工后的硅片标称直径，未经滚圆的单晶棒的直径和允许的偏差由供需双方商定) 5．抽样方案： 1）GB/T12962-2005中规定对单晶棒抽样方案为：每批产品随机抽取20%的试样。5根～9根晶棒/锭抽取两个试样，5根以下抽取一个试样。 2）导电类型、晶向和外形尺寸3项为全检项目，若有一项不合格即为不合格。 3）检验氧含量时应在晶棒头部切取试样，检验碳时应在尾部取样。当不能区分晶棒的头尾或分析别的参数时可随机取样。 4）国标中作出规定的单晶硅的相关参数还有：晶向偏离、晶体完整性等。 6．四探针法测硅单晶的电阻率 GB/T1551-2009中规定用四探针法测硅单晶的电阻率有效范围为1.0×10-3～3.0×103Ω·cm。 试样要求：试样厚度和从试样边缘与任一探针端间距应大于探针间距的4倍。四探针法也可以测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4的硅单晶圆片。环境要求：温度为23±1℃，相对温度≤65%。