微电子工艺原理- 第6讲 薄膜工艺 3资料讲解.ppt

第六讲 薄膜工艺 之化学气相淀积;;;4.1 化学气相沉积合成方法发展;CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。 在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。 在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。;在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日本，特别是美国占有较大的优势。 日本在蓝色发光器件中关键的氮化镓外延生长方面取得突出进展，以实现了批量生产。 1968年K .Masashi等首次在固体表面用低汞灯在P型单晶硅膜，开始了光沉积的研究。 1972年Nelson和Richardson用CO2激光聚焦束沉积出碳膜，从此发展了激光化学气相沉积的工作。;继Nelson后，美国S. D. Allen，Hagerl等许多学者采用几十瓦功率的激光器沉积SiC、Si3N4等非金属膜和Fe、Ni、W、Mo等金属膜和金属氧化物膜。 前苏联Deryagin Spitsyn和Fedoseev等在20世纪70年代引入原子氢开创了激活低压CVD金刚石薄