太赫兹场作用下gaas量子阱的光吸收研究①.docVIP

太赫兹场作用下 G aAs 量子阱的光吸收研究 ① 米贤武 3, 曹俊诚 (中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 , 上海 200050 摘要 :用密度矩阵理论 , 研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下 G aAs , 由于量子约束斯塔克效 应 , 光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。 改变太赫兹的强度和频率 , 这些分裂主要来源于太赫兹作用下激 子的非线性效应。 关键词 :光吸收谱 ; 量子阱 ; 中图分类号 :O471. 3; ; T :A　　 文章编号 :0258-7076(2004 03-0585-03 　　 现代光通信器件 , 如光开关 、 调制器及波分复 用器 , 要求对高频辐照下半导体的光吸收有一个 透彻的了解 。 最近 , 强太赫兹 (TH z 场作用下量子 阱的带边吸收谱 [1~3], 引起人们的广泛兴趣 。 当量 子阱受到强太赫兹及超快脉冲辐照时 , 表现出许 多有趣的非线性效应 , 如 :交流斯搭克效应 、 弗伦 兹 2凯尔迪什效应等 。 对于这些现象 , 目前已有许 多理论研究 [4~6]。 研究结果表明 , 量子阱在外电 场作用下 , 表现出量子约束斯搭克效应 。 量子约束 斯搭克效应导致带边吸收峰出现红移 , 并产生边 带 。 本文主要研究直流及太赫兹场作用下 G aAs 量 子阱的光吸收谱 。 首先计算了只有直流偏压下的 光吸收谱 , 再计