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激光芯片测试： 测试系统设备： CCD（2个）：上方用于俯视芯片位置，后方用于后视芯片和透镜之间的距离。 电流源（80-123mA）：经过测试电流在这个范围内，测试出来的光功率相对较大。给芯片提供电流。 透镜（LENS）一对：用于将芯片发出的光进行汇聚到功率计的探头上。放置于芯片的两侧。透镜有两端，小端为进光口，大端为出光口。 TEC（半导体制冷器）：DC=1v 在温度为15°C时，光功率最高。 TEC的温度通过调节供电电压来调节，可以用万用表的温度档检测 功率计（81618A/81533B）：20mw 注意事项：平时探头不用时需要盖上防尘帽，定期保养，用无尘布和酒精擦拭。 光源: 波长 1310 测试882芯片 波长1550 测试871芯片 光谱分析仪 准直器： 准直器型号（接头）：APC(接头为斜8度)-FC（金属外壳） PC(平角)-FC  SC(塑料外壳) TC(金属外壳) 测试参数： 出光功率： P1 P2（P1/P2如下图） 饱和光功率： Psat （测试条件：Pin=-3dbm） 增益Gain P (测试条件：Pin：-25dbm，λ=1310nm) 影响芯片出光的因素： 热敏电阻 热敏电阻 芯片芯片的尺寸大小： 例如820um和670um 芯片 芯片基板上的焊料熔接程度 金锡焊料（导电） 金锡焊料 金锡焊料 芯片电压为0.68v 芯片于金锡焊料表面夹角57°负电极正电极芯片上（有导光槽）为正极，下面为负极 芯片于金锡焊料表面夹角57° 负电极 正电极 P P1出光口 P2出光口 P2出光口 测试系统平台搭建： 上(垂直方向)CCD镜头支架（上下左右前后可调），后（纵向）CCD镜头支架（上下左右前后可调），供电探针支架正负极（2个上下左右前后可调），透镜支架（2个上下左右前后可调），TEC托盘，功率计探头支架（2个上下左右前后可调） 设备仪器相关信息： 电流源： E-TEK EA-3010 LASER POWER SUPPLY ＆STABILIZER 功率计： Agilent 8163A Lightwave Multimeter 电压源： HP E3620A 0-25V 0-1A DUAL OUTPUT DC POWER SUPPLY 光谱分析仪（OSA）：HP70004A 光源： HP 8167B TUNABLE LASER SOURSE λ=1310nm 衰减器： Agilent 8156A Optical Attenuator 待解决的疑惑： 电流源设置为123mA 未加芯片默认值为101m A,加上芯片为123m A 后来默认值为-0.05m A，加上芯片后为123m A, -0.05应该为正常值，需将未加芯片时的默认值校正为0m A 电流源设置为80mA 未加芯片默认值为80m A,加上芯片为80m A 待测试 芯片导光槽出光角度，平面还是三维？ 测试探头的参数指标（性能）要求 如何保证测试平台和环境的稳定，及测试数据的稳定与可靠。 由于目前测试平台和条件的限制，测试数据会出现不稳定和较大的误差。 出光功率P1和P2理论上应该时相等的，但实际相差很大，原因？ 理论上P1=P2，但是实际值是由于误差和测试条件的限制，会有一定的差距。 电流源上的LD和PD的作用？其和芯片LD和PD有何关系？ LD为激光器发射芯片，PD为监控芯片 激光芯片尺寸的定义？如882/871 待查 饱和光功率测试Psat： 测试芯片：1550nm的激光器芯片 测试设备：功率计和光源，光纤（一端是连接头，另一端是准直器） 将光源的输出波长设置为1550nm，功率为-3dBm 目前的测试方式是： 将测试平台的 出光功率调试到最佳状态（功率最大），然后去掉一端的功率计探头换成带有准直器的光纤（光纤的另一端接光源）。 光源光纤 光源 光纤连接头 功率计探头 功率计探头 1550nmtoujing准直器 1550nm toujing 准直器 -3dBm光纤 -3dBm 光纤 增益测试P： 目前的测试方式：如果光源不能直接提供需要的输出功率（例如-25dBm），那就需要将光源输出的功率进行衰减（需要增加一个衰减器），然后经由衰减器衰减后输入给另外一个功率计探头（和测试饱和光功率相同，只是增加一个衰减器） 光谱仪（OSA）