精品课程IC原理2章集成电路中的晶体管及其寄生效应课件教程教案.ppt

根据M-S接触理论，理想情况下 WMWS，金属与n型半导体接触形成阻挡层。 WMWS，金属与n型半导体接触形成反阻挡层。 WMWS，金属与p型半导体接触形成阻挡层。 WMWS，金属与p型半导体接触形成反阻挡层。 M-S整流接触与欧姆接触的区别 但实际情况，由于Si，Ge，GaAs等常用半导体材料都有很高的表面态密度，不管n型还是p型都形成阻挡层。所以，实际的欧姆接触是利用隧道效应制成的。 ——对半导体进行重掺杂，势垒宽度很薄，载流子可以通过隧穿效应贯穿势垒形成大的隧道电流，当其超过热电子发射电流成为主导时，接触电阻很小? 欧姆接触。 SBD在TTL中起到的嵌位作用 肖特基势垒二极管（SBD）具有可用于改善集成电路三个特点，即正向压降低、开关时间短和反向击穿电压高。 由于TTL集成电路在提高电路速度时存在矛盾，即要想减少电路导通延迟时间，可以通过加大输出管的基极驱动电流来实现，这势必使输出管在电路导通态的饱和深度增加，输出管的基区和集电区的超量存储电荷增加，在电路截止是加大了截止延迟时间；肖特基势垒二极管与可能饱和的晶体管集电结正向并接，由于SBD正向压降低的特点，是晶体管的饱和深度不能太深，从而有效的提高了电路速度。 一般采用PtSi-Ti/W-Al多层金属薄膜系统。其中