现代电子技术基础 第一 章 半导体器件及其应用.ppt

1.4 单相整流滤波电路 单相整流电路可以把交流电利用二极管的单向导通原理整变成直流电。单相整流电路分为半波整流、全波整流、桥式整流和倍压整流电路。 1.4.1单相半波整流电路 1.单相半波整流电路的结构工作原理 单相半波整流如图1.1.9所示。 其中u1、u2分别表示变压器的 原边和副边交流电压，ＲＬ为负载电阻。 1.5 晶体管 1.6 场效应晶体管 1.6 场效应晶体管 1.7 集成电路 根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图1.5.6所示， 由PCM、ICM和U（BR）CEO包围的区域为三极管安全工作区。 场效应管（FET）：是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。 场效应管特点：体积小，重量轻、寿命长、输入电阻高，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、省电。 场效应管分类：结型和绝缘栅型两种。 结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。 1.6.1结型场效应管的特点和类型 1.结型场效应管的结构及符号 结型场效应管也是具有PN结的半导体器件，图1.6.1（a）绘出了N沟道结型场效应管的结构（平面）示意图。它是一块N型半导体材料作衬底，在其两侧作出两个杂质浓度很高的P+型区，形成两个PN结。从两边的P型区引出两个电极并联在一起，成为栅极(G)；在N型衬底材料的两端各引出一个电极， 分别称为漏极（D）和源极（S）。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道，它是漏、源极之间电子流通的途径。这种结构的管子被称为N型沟道结型场效应管，它的代表符号如图1.3.1（b）所示。  图1.6.1 如果用P型半导体材料作衬底，则可构成P沟道结型场效应管，其代表符号如图1.6.1(c)所示。N沟道和P沟道结型场效应管符号上的区别，在于栅极的箭头方向不同，但都要由P区指向N区。  ? 2. 基本工作原理。  上述两种结构的结型场效应管工作原理完全相同，下面我们以N型沟道结型场效应管为例进行分析。研究场效应管的工作原理，主要是讲输入电压对输出电流的控制作用。在图1.6.2中，绘出了当漏源电压UDS=0时，栅源电压UGS大小对导电沟道影响的示意图。  图1.6.2 （1）当UGS=0时，PN结的耗尽层如图1.6.2(a)中阴影部分所示。耗尽层只占N型半导体体积的很小一部分，导电沟道比较宽，沟道电阻较小。  （2）当在栅极和源极之间加上一个可变直流负电源UGG时，此时栅源电压UGS为负值，两个PN结都处于反向偏置， 耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻加大，如图1.6.2(b)所示。而且栅源电压UGS愈负，导电沟道愈窄，沟道电阻愈大。  （3）当栅源电压UGS负到某一值时，两边的耗尽层近于碰上，仿佛沟道被夹断，沟道电阻趋于无穷大，如图1.6.2（c）所示。此时的栅源电压称为栅源截止电压（或夹断电压）， 并以UGS（off）表示。 GS(off)时由以上的分析可知，改变栅源电压UGS的大小， 就能改变导电沟道的宽窄，也就能改变沟道电阻的大小。如果在漏极和源极之间接入一个适当大小的正电源UDD，则N型导电沟道中的多数载流子（电子）便从源极通过导电沟道向漏极作漂移运动，从而形成漏极电流ID。 显然，在漏源电压UDS一定时，ID的大小是由导电沟道的宽窄（即电阻的大小）决定的，当UGS=UGS（off）时，ID≈0。 于是我们得出结论：栅源电压UGS对漏极电流ID有控制作用。这种利用电压所产生的电场控制半导体中电流的效应， 称为“场效应”。 场效应管因此得名。  ID=f(UGS)|UDS=常数 图1.6.3给出了某N沟道结型场效应管的转移特性。从图中可以看出UGS对ID的控制作用。UGS=0时的ID，称为栅源短路时漏极电流，记为IDSS。使ID≈0时的栅源电压就是栅源截止电压UGS（off）。  从图中还可看出，对应不同的UDS，转移特性不同。但是， 当UDS大于一定数值后，不同的UDS, 转移特性是很靠近的， 这时可以认为转移特性重合为一条曲线，使分析得到简化。  此外，图1.6.3中的转移特性，可以用一个近似公式来表示： 图1.6.3 ID≈IDSS(1-  0≥UGS≥U GS(off) 这样，只要给出IDSS和U GS（off）就可以把转移特性中其它点估算出来。 