单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算.docVIP

　第13卷　第4期 　2001年7月强激光与粒子束HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS.13,No.4　Vol.,2001　Jul文章编号:　100124322(2001)0420436205 单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算 李　华,　陈雨生 (西北核技术研究所,陕西西安710024)① 　　摘　要:　根据光的吸收机理,分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点, 探讨了脉冲激光单粒子效应的MonteCarlo计算模拟途径。在只考虑光电效应的简化下,得到存储器硅 片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临界电荷的计算关系式,进而给出该硅片的翻转截面的计算 公式。在给定了存储器硅片的临界电荷的情况下,对入射脉冲激光能量阈值和单粒子翻转截面进行了计 算。 　　关键词:　单粒子翻转;　脉冲激光模拟;　脉冲激光能量阈值;　翻转截面 　　中图分类号:　O571133　　　　文献标识码:　A 　　随着集成电路尺度的日益减小,在辐射环境中工作的存储器越来越容易发生单粒子效应[1]。为了使存储器能可靠地工作,必须先对它们进行单粒子效应的测试,以确定临界线性能量传输和翻转截面。通常的测试方法是将存储器置于加速器产生的离子束中。这种测试不仅费时,而且昂贵,还可能对存储器造成永久损伤。不同于加速器实验的另一方法是采用Cf2252源。Cf2252源因具有辐射而比较