影像电子学第四章半导体器件41-42.pptVIP

⑵反向击穿电压：在施加反向电压的情况下使变容二极管击穿的电压。击穿电压决定了器件的最高反向工作电压和最小电容容量值。 ⑶结电容：指在一特定反向偏压下，变容二极管内部PN结的电容。 ⑷结电容变化范围：指反向电压从零伏变化到某一值时，结电容变化的范围。 ⑸品质因数(Q值)：电容储存的能量与损耗的能量之比值为该电容器的品质因数Q 。 变容而后跟具有内部电容，同样具有一定的Q值。并且大多数变容二极管具有很高的Q值。由于变容管的电容量与反偏压成反向变化，Q值就随着反向偏置电压的增加二增加。 3、光电二极管 原理：利用自由电子和空穴复合时能产生光的半导体制成，采用不同的材料，可分别得到红、黄、绿、橙色光和红外光。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等。制作材料决定光的颜色（光谱的波长)。 特点：通以正向电流发光，光亮度随着电流的增大而增强，工作电流为几个毫安到几十毫安，典型工作电流为10mA左右。正向导通电压较大。 4、变容二极管 变容二极管使利用PN结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反偏二极管，其结电容就是耗尽层的电容，一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容，且导电板之间有介质。一般的二极管多数情况下，其结电容很小，不能有效利用。变容二极管的结构特殊，它具有相当大的内部电容量，结电容随外加电压变