复旦半导体物理习题及答案.ppt

第三次作业 1、计算能量在 到 之间单位体积中的量子态数。 解：导带底附近状态密度为： 由状态密度定义： 所以单位体积量子态数： 两边积分： 第三次作业 第三次作业 2、试证明实际硅、锗中导带附近状态密度公式为 解：对于实际半导体硅、锗，在它们的导带附近，等能面是旋转椭球面，选极值能量为 则： 椭球的解析表达式： 椭球体积： 第三次作业 k空间中量子态数和能量的关系为： 状态密度： 其中令 第三次作业 3、i.在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，Nv=5.7×1018cm-3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。计算77K时的Nc和Nv。已知300K时，Eg=0.67eV。77K时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。ii.77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec－ED＝0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？ 解：i.根据Nc和Nv的定义： 室温下，T＝300K T＝77K， 第三次作业 由 300K时， 77K时， ii.77K处于低温弱电离区，此时： 由 电离施主浓度 第三次作业 4、利用前一题所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5×1015cm-3 ，受主浓度NA=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？ 解：300K时，处于强电离区， 500K时，处于高温本征激发区， 杂质补偿情况下： 第三次作业 5、掺有浓度为1.5×1023砷原子/m-3和5×1022铟原子/m-3的锗材料，分别计算300K和600K时费米能级的位置以及多子和少子的浓度（本征载流子浓度数值查P61图3-7） 解：300K时，处于强电离区，查图得： 第三次作业 600K时，处于高温本征激发区，查图得： 杂质补偿情况下： 第三次作业 6、试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？ 解：由弱简并条件： 当 ，发生弱简并 又有， 对于锗： 对于硅： 第四次作业 1.计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V.s和500cm2/V.s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，计算电导率。比本征Si电导率大了多少倍？ 解：本征时，n0=q0=ni=1.5e16(m-3) 掺As后：ND＝5e22（cm-3）*1/1000000= 5e16（cm-3） 读图4－13，un=900cm2/V.s 第四次作业 2.设电子迁移率为0.1m2/V.s，Si的电导有效质量mc＝0.26m0，加以强度为1e4V/m的电场，求平均自由时间和平均自由程。 解：（1） （2） 第四次作业 3.分别计算掺有下列杂质的Si，在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率（单位：cm-3） （1）3e15硼；（2）1.3e16硼＋1.0e16磷； （3） 1.3e16磷＋1.0e16硼；（4） 3e15磷＋1e17镓＋1e17砷。 解 室温下，近似认为杂质全部电离，： （1） （2） （3） （4） 第四次作业 如图12－1，设样品长8mm 宽2mm 厚0.2mm的Ge，在样品长度两端加1.0V的电压，得到10mA沿x方的电流，再沿样品垂直方向（＋z）加0.1T的磁场，则再样品宽度两端测得电压Vac为－10mV，设材料主要是一种载流子导电，求： （1）材料的导电类型；（2）霍耳系数；（3）载流子浓度；（4）载流子迁移率 解：（1）Vac＝－10mV<0 所以是电子导电，为N型半导体。 （2）