第5章234MOS存储器系统.pptVIP

5.2 MOS集成电路设计 5.2 MOS集成电路设计 5.2.1、NMOS电路 电阻NMOS反相器 NMOS反相器及版图（E/E NMOS） NMOS反相器及版图（E/D NMOS） NMOS与非门电路 NMOS或非门电路及版图 NMOS与或非门电路及版图 5.2.2 CMOS电路 CMOS反向器 N阱 CMOS 1.形成N阱 （1）初始氧化 （2）淀积氮化硅层 （3）光刻一，定义出N阱 （4）反应离子刻蚀氮化硅层 （5）N阱离子注入，注磷 （6）退火 （7）高温阱推进 2 有源区的确定和场氧化(LOCOS) N沟道和P沟道晶体管所在的区域称为有源区 需首先在不同MOS管之间进行场氧。 （1）淀积氮化硅层 (a)生成N阱后，去掉氧化层。 (b)重新生长一层薄的SiO2层，作为薄氮化硅层与硅之间的缓冲层。 (c)淀积一层薄氮化硅层，作为场氧氧化的掩膜。 (d)确定有源区，即n型晶体管和P型晶体管所在区域。 （2）光刻二 有源区光刻，将以后作为有源区的二氧化硅层和薄氮化硅层保留下来。（图a） （3）氧化层生长 在没有氮化硅层保护的区域生长一层较厚的氧化层。(图b) 3 生长栅氧化层和生成多晶硅栅 确定有源区后，开始制做MOS晶体管。 （1）生长栅氧化层： （2）淀积多晶硅 （3）光刻三：光刻多晶硅。 4 形成P沟MOS晶体管 （1）光刻四： P沟MOS晶