原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第 卷 第 期 液晶与显示
３２ ２
Vol．３２ No．２
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１７ ２ Feb．２０１７
文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１７０２Ｇ００９１Ｇ０６
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的
退化行为与退化机制研究
∗
, , , , ,
张 猛 夏之荷 周 玮 陈荣盛 王 文 郭海成
( , )
香港科技大学 先进显示与光电子技术国家重点实验室 香港
: ( ) ( ) .
摘要 本文主要研究了搭桥晶粒 BG 多晶硅薄膜晶体管 TFT在栅交流电应力下的退化行为和退化机制 在栅交流应
, . .
力下 动态热载流子效应主导了器件的退化 器件退化只与栅脉冲下降沿有关 越快的下降沿带来越大的动态热载流
. , . ,
子退化 比起普通多晶硅 TFTBG多晶硅 TFT的热载流子退化大幅度减弱 通过选择性的掺杂注入 BG线 沟道中形
, . ,
成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差 从而减弱动态热载子退化 辅以瞬态模拟结果 栅
.
交流电应力下的退化机制被阐明 所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅 TFT在片上系统应用中
具有很大的应用前景.
: ; ; ; ;
关 键 词 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 栅交流应力 动态热载流子
中图分类号: 文献标识码: : /
TP３９４．１ A doi１０．３７８８YJYX００９１
Deradationbehaviorandderadationmechanismof
g g
bridedＧrain olcrstallinesiliconthinfilm
g g p y y
transistorsunderAC atebiasstress
g
, , , ,
ZHANGMen XIAZhiＧhe ZHOUWeiCHENRonＧshen
g
文档评论（0）