单根同轴硅锗与锗硅纳米线的陷光效应及其光伏应用.docxVIP

PAGE 编号：1432130124 本科毕业论文 单根同轴硅/锗与锗/硅纳米线的陷光效应及其光伏应用 院 系：电子科学与工程系 姓 名：李景涛 学 号：1032130124 专 业：物理学 年 级：2010级 指导教师：刘文富 职 称：副教授 完成日期：2014年 5月18日 摘 要 全球纳米科学的快速发展以及纳米技术日趋成熟，降低太阳电池成本、提高光电转换效率和稳定性的一个重要思想就是利用纳米技术。为获得最佳的纳米线阵列光电转换效率，对纳米线光伏性质的研究是非常必要的。利用柱形Lorenz-Mie光散射理论可以计算单根同轴Si纳米线的光吸收，漏模共振（LMRs）分析了单根同轴Si纳米线的陷光效应；同时也可以运用于单根同轴Si/Ge，Ge/Si纳米线。利用Origin、Matlab绘图，通过观察图形走向和数据趋势，总结分析。 关键词：单根同轴Si/Ge纳米线；单根同轴Ge/Si纳米线；柱形Lorenz-Mie光散射理论；漏模共振（LMRs）；陷光效应 Abstract The rapid development of global nanoscience and nanotechnology matures, reduce the cost of solar cells, improve the use of nanotechnology is one of the important thought of the photoelectric conversion efficiency and stability. In order to obtain the nanowire array photoelectric conversion efficiency, research on the photovoltaic properties of nanowires is very necessary. the column Lorenz-Mie light scattering theory to calculate a single coaxial Si nanowire light absorption, leaky mode resonance(LMRS)analysis of the light trapping effect of a single coaxial Si nanowires; also can be applied to a single coaxial Si/Ge, Ge/Si nanowires. using Origin, Matlab drawing, through the observation of the graphic and data trend toward, summary analysis. Key words: A single coaxial Si/Ge nanowires；A single coaxial Ge/Si nanowires; Column Lorenz-Mile lighet scattering theory; Leaky mode resonance(LMRs); Light trapping effect 1绪论 1.1研究背景及意义 随着传统化石燃料能源供应的日益紧张，寻找可替代的新能源成为当前研究的热点【】。其中，太阳能由于覆盖面广、无污染、总量十分巨大，受到人们的广泛关注。然而，目前太阳能的利用效率较低而且成本较高，严重制约着太阳能的大规模利用。目前在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池的最高转换效率为29%，多晶硅电池为24%，非晶硅为17%[]。考虑到生产成本和实际工业技术的支持，实际量产时的转换效率会比实验室数据低。全球纳米科学的快速发展以及纳米技术日趋成熟，降低太阳电池成本、提高光电转换效率和稳定性的一个重要思想就是利用纳米技术 ADDIN EN.CITE EndNoteCiteAuthorZhu/AuthorYear2010/YearRecNum252/RecNumDisplayTextstyle face=superscript font=Times New Roman[8]/style/DisplayTextrecordrec-number252/rec-numberforeign-keyskey app=EN db-id=zps9re5fsap59me0206x9fwnd50ssdrpfeaw252/key/foreign-keysref-type name=Journal Article17/ref-typecontributor