半导体制造工艺 流程.docVIP

半导体制造工艺流程 半导体相关知识 本征材料：纯硅 9-10个 250000Ω.cm3 N型硅： 掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅： 掺入 III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半 导体元件制造过程可分为 前段（Front End）制程 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、 晶圆针测制程（Wafer Probe）； 后段（Back End） 构装（Packaging）、 测试制程（Initial Test and Final Test） 晶圆边缘检测系统 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件，为各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，有时可达数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗（Cleaning）之后，接著进行氧化（Oxidation）及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 晶圆与晶片的区别 制造半导体前，必须将硅转换