产线工艺流程介绍.ppt

反压：去除电池中短路的地方，提高电池性能 1.4 组前各工序产品介绍 焊接：用超声波滚焊铝带，收集电流，引出电池正负极。 敷设：在芯片上铺设EVA 背板玻璃与芯片对位 测试：在标准条件下，测试出芯片电性能参数 * PPT课件 反压设备 目的:此设备通过对子电池加反向电压，去除电池中短路的地方，提高电池性能; 该设备含40排缓冲高强度铜质探针,不损伤电池组件膜面,使用寿命长,容易更换; 反压限流：1900mA * PPT课件 目的：对芯板进行IV测试，获得其各个性能参数 该设备关键部件采用德国进口脉冲氙灯，模拟标准测试条件AM（air mass大气质量）1.5、1000W/m2、25℃，达到测试IV参数的目的 测试环境温度：25±2℃； 单台数据一致性：±1%； 多台数据一致性：±2%； I-V测试设备 * PPT课件 目的：去除刻线中的杂质以及芯片印迹 芯片清洗 * PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 PPT课件 * 产线工艺流程介绍 * PPT课件 目录 产线工艺流程介绍 前工序介绍 PECVD工序介绍 PVD工序介绍 组前工序介绍 组后工艺介绍 * PPT课件 产线工艺流程 * PPT课件 1.1 前工序产品介绍 清洗一：去除透明导电玻璃上的灰尘、油污，获得清洁的表面 透明导电膜玻璃 磨边：磨掉导电玻璃锋利的四边；对四个角倒角。提高玻璃安全性 激光一：把TCO导电膜分成39个小块，每个小块绝缘 清洗二：去除激光划刻后膜层表面残留的颗粒 * PPT课件 目的：磨掉导电玻璃锋利的四边，消除玻璃应力，提高安全性 磨边后尺寸：1244±1mm×634±1mm×3.1±0.1mm； 磨边机 * PPT课件 目的:去除透明导电玻璃的灰尘、油污，获得清洁的表面 纯水电阻率≥15MΩ?cm 清洗机一 * PPT课件 目的：把TCO导电膜分成等面积的39个子电池 采用德国rofin公司的激光器，使用高科技空气轴承技术实现玻璃板匀速传输及精确刻划线。激光刻划时，采用红外激光(1064nm)以达到刻划效果。 线宽:40~50μm 正极边线距：(16.2-0.2mm)~(16.2+0.3mm) 跨线电阻：≥20KΩ 直线度：＜20μm 激光一（P1） * PPT课件 目前：去除激光划刻后膜层表面残 留的颗粒 清洗二 * PPT课件 1.2 PECVD工序介绍 PECVD：等离子体增强化学气相沉积，在透明导电玻璃的导电膜上， 气相沉积非晶 硅锗 三结 叠层薄膜，拓宽电池对太阳光吸收波长范围。 * PPT课件 此设备为“单室多片”模式，整个工件架内的玻璃（72片），完成P、I、N三层非晶硅的沉积。生产效率高，且能够制备出SiGe薄膜电池，而这在欧瑞康、应用材料等设备上因气体利用率过低而不能实现产业化。 工艺温度：225℃ 本底真空：8E-3Pa 沉积压力：50~133Pa 沉积功率：100~200W 膜厚：400~550nm PECVD设备 * PPT课件 1.3 PVD区域各工序 PVD：沉积背电极 激光二：去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道 激光三：去除硅膜及背电极膜 扫边：去除四周边缘部分膜层，保证组件绝缘安全 * PPT课件 目的：去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道 此设备的机体与P1设备类似，但采用532nm的绿激光，实现a-SiGe薄膜刻划 线宽:75±5μm 直线度：＜20μm 与P1间距：20~100μm 激光二（P2） * PPT课件 目的：用磁控溅射设备沉积AZO/Al 背电极，有效收集载流子 设备分为进/出片室，缓冲室以及沉积室五部分；沉积室安装有8个靶位，可分别安装不同的靶材，一次性完成AZO/Ag/NiCr/Al或者是AZO/Al的溅射； AZO膜厚：80±10nm，方阻：450±100Ω/□； AL膜厚：100±10nm，方阻：0.5±0.1Ω/□； PVD设备 * PPT课件 目的：去除硅膜及背电极，形成39个串联的子电池 线宽:75±5μm 直线度：＜20μm 与P1间距：220~270μm p1 p2 p3 0.35mm 左右 激光三（P3） * PPT课件 原理图 * PPT课件 目的：去除四周边缘膜层，保证组件绝缘性能 此设备使用1064nm的红外激光将玻璃基板四周边缘的所有膜层去除 扫边区域电阻：≥200MΩ/cm 扫边宽度：长边9.5±0.5mm，短边10±0.5mm 激光扫边（P4） * PPT课件 退火目的：消除膜层内应力，提高芯片性能 加温时间：90min；保温时间：30min； 退火温度：190℃； 退火设备 * PPT课件 PPT课件 PPT课