无机材料科学基础第二章xiugai93790.ppt

* 刃型位错的Burgers矢量与位错线方向垂直；螺型位错的Burgers矢量与位错线方向平行。 位错的研究主要采用①?显微镜观察表面台阶， ②?用显微镜观察腐蚀坑，③?在透明晶体中用沉淀体缀饰， ④?用透射电镜观察，⑤? 利用X射线的衍射效应进行直接观察和测试。 用位错密度衡量单晶质量的好坏。位错密度：指单位体积位错线的长度（d=nl/Al），通过化简后，可以用单位截面上的位错线露头的数目表示。一般单晶为102-104/cm2，较差的为108-109/cm2。 用位错缺陷解释晶体生长现象和性质。例如，材料的塑性变形，就是位错移动的结果；晶体生长快的原因就是晶体中有螺旋位错存在；位错区域原子活动性较大，能加速物质在固体中的扩散，有利于烧结和固相反应。 晶体结构与晶体中的缺陷 * 晶体结构与晶体中的缺陷 * 晶体结构与晶体中的缺陷 * 晶体结构与晶体中的缺陷 * 晶体结构与晶体中的缺陷 * 晶体结构与晶体中的缺陷 * * 把少量CaCl2溶解到KCl中， 有以下三种可能 ： KCl CaCl2 CaK.+VK′+2ClCl √ KCl CaCl2 CaK.+ClCl+Cli′ 　　 Cl进入间隙 KCl CaCl2 Cai‥+2VK′+2ClCl　　Ca进入间隙，产生Ｋ空位 以上三个反应式都符合规则，但是符合实际的是第一个方程；第二个方程因为rCl大，不会有Cli′，第三个方程有VK′，Ca2+会去填充空位，不会进入间隙，不该产生Cai‥。 * ①阳离子缺位型 M1-yX（低价阳离子被高价的取代，才产生空位） 1/2X2(g)＝2h·＋VM〃＋XX 如: Fe1-XO (可以看作是Fe2O3在FeO中的固溶体，三个Fe2+被两个Fe3+和一个空位所代替） 　　　 2FeO＋1/2O2(g)＝2FeFe·＋VFe〃＋3OO 　　　　　1/2O2(g)＝2h·＋VFe〃＋OO （铁离子空位带负电，为了保持电中性，两个电子空穴被吸引到其周围。） ②阴离子缺位型 MX1-y（可以看作是三价钛在四价钛中的固溶体） XX＝2e＇＋VX¨＋1/2X2(g)↑ 如: TiO2-X 2TiO2－1/2O2(g)＝2TiTi＇＋VO¨＋3OO OO＝2e＇＋VO¨＋1/2O2(g)↑ 非化学计量化合物的缺陷反应方程式 * ③阳离子间隙型 M1+yX　（过剩的金属离子进入间隙位置，它带正电，为了保持电中性，等价的电子被束缚在间隙正离子周围） 　　　　　　　　　　如：Zn1+XO 　　　　　　 ZnO＝Zni¨＋2e′＋1/2O2(g)↑ ④阴离子间隙型 MX1+y（可以看作是U3O8在UO2中的固溶体，负离子进入间隙，为了保持电中性，引入电子空穴） 　　　　　　　　　如：UO2+X 　　　　　　　　　　 1/2O2（g）＝Oi〃＋2h· * 对于一定的晶体，温度一定时，热缺陷浓度是一定的，达到热平衡，即新产生的缺陷与复合的缺陷数目相等。缺陷反应可以用化学反应平衡的质量作用定律处理。 (1)弗仑克尔缺陷 达到平衡时： 正常格点离子+未被占据的间隙位置=间隙离子+空位 以AgBr为例： AgAg+Vi=Ag.i+VAg＇ Kf=([Ag.i][VAg＇])/([AgAg][Vi]) ∵ 缺陷浓度较小时：[Vi]=[AgAg]=1（近似） Kf=[Ag.i][VAg＇] 且Kf=exp(-ΔGf/kT) ∴ [Ag.i]=[VAg＇]=Kf1/2=K0exp(-ΔGf/2kT) 3. 热缺陷的平衡浓度 * (2)肖特基缺陷 以MgO为例： 0=VMg〃+VO‥ Ks=[VMg〃][VO‥] ∵[VMg〃]=[VO‥] 且Ks=Kexp(-ΔGf/kT) ∴ [VO‥]=Ks1/2=K0exp(-ΔGf/2kT) 若用n表示单位体积内的缺陷数，用N表示单位体积内的结点数，则热缺陷的平衡浓度可表示为： 单质中的Schottky缺陷： *