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微机电系统制程
Microfabrication technology
第六讲：低压化学气相沉积
虞益挺 乔大勇
Outline
1 Fundamentals
薄膜淀积之LPCVD
几种淀积模型
薄膜质量评价
2 Exercises
设备结构及原理
设备操作流程
常见故障及排除
设备日常维护
注意事项
1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD
1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD
各种薄膜淀积方法
常见薄膜：SCS、SiO 、Si N 、PolySi 、Metals 、Polymer
2 3 4
化学气相淀积(CVD) 外延(Epitaxy)
－Oxidation －Vapor Phase (VPE)
－Liquid Phase (LPE)
－Low Pressure (LPCVD)
－Molecular Beam (MBE)
－Plasma Enhanced (PECVD) 电化学沉积(Electrochemical
溅射(Sputtering) Deposition)
旋涂(Spin coating)
－RF
－Spin-on glass (SOG)
－DC
－Polyimide (PI), photoresist
蒸镀(Evaporation)
－PZT
－Thermal
－Electron-beam
－Flash
1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD
低压化学气相沉积
化学气相淀积(CVD) ：反应气体的输运－气体流量
低压化学气相淀积 (LPCVD) ：
低压：增加了气体的输运速率 反应速率：由温度控制
分子的平均自由程：一个分子在运动过
程中
与其他分子碰撞前所行进的距
离。
1、Fundamentals-薄膜淀积之LPCVD
低压化学气相沉积
反应速率(R):
其中, E 表示活化能(activation energy, eV), k为波兹曼常数 (Boltzmann constant), T为
a
温度(K)。
随着温度的升高, 表面的反应速率随之增加！
高
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