cvd与薄膜工艺(2)章.ppt

SiHCl3+H2=Si+3HCl(热丝CVD） 氯硅烷氢还原法生产多晶硅装置简图 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 碘封管化学输运生长硒化锌单晶 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 Plasma-Enhanced CVD CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance) CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 MBE Growth Ultra high vacuum Mass spectrocopy Auger electron spectroscopy Low energy electron diffraction Reflection high energy electron diffraction X-ray and Ultraviolet photoemission spectroscopy Ref: Yu-Cardona CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 (a) phosphoric anhydride, (b) sodium hydrate particle, (c) ball valve, (d) flowmeter, (e) spongy titanium, (f) aluminum chloride (purity 98%), (g) ribbon heater, (h) MoSi2 heater, (i) thermocouple, (j) quartz tube reactor, (k) pressure gauge, (l) vacuum pump, (m) powder collection flask, (n) NaOH solution. 热CVD制备AlN纳米粉体 AlCl3 － NH3 － N2 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 PECVD (plasma enhanced CVD) CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 LPCVD (low pressure CVD) End-feed LPCVD Distributed-feed LPCVD CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 APCVD (Atmospheric pressure CVD) Horizontal tube reactor Plenum-type continuous processing reactor Conveyor belt CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 HC-PCVD化学气相沉积系统 HC-PCVD热阴极直流等离子体化学气相沉积系统。该室在国际上首创的制备金刚石膜的方法，目前已获得国家发明专利，该方法具有沉积速率高，沉积面积大，膜品质高等突出优点。 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 EA-CVD化学气相沉积系统 简介:EA-CVD电子辅助热灯丝化学气相沉积系统。目前较流行的制备大面积金刚石厚膜方法。该室在此方法的灯丝排布方式、电源系统设计及工艺条件的优化等方面具有独到之处。 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 磁控与离子束复合溅射系统 ????????????????????????????????? 简介：主要用于制备CNx等新型功能薄膜材料，还用于金刚石膜表面金属化，可进行各种金属、化合物的薄膜沉积研究。 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 MW-PCVD化学气相沉积系统 简介：MW-PCVD微波等离子体化学气相淀积系统。属于无极放电方法，并且在较低气压下工作，可得到品质级高的透明金刚石膜，应用于SOD、场发射等领域。 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 The MOCVD growth system（Georgia Tech.） CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 EA-CVD化学气相淀积系统 简介：EA-CVD电子束辅助热灯丝化学气相淀积系统。目前较流行的制备大面积金刚石厚膜方法。 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 实验室CVD设备（1） CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 实验室CVD设备（2） CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 实验室CVD设备（3） CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 实验室CVD设备（4） CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 Low-Pressure CVD System CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 本章结语 CVD反应体系及其源物质的选择决定了CVD工艺的成功和材料质量与成本的未来。 新源的研制