《表面氟化的BN薄膜的尺寸效应》》-毕业论文（设计）.docVIP

表面氟化的BN薄膜的尺寸效应 摘要：本论文主要采用第一性原理模拟计算表面修饰和尺寸效应对BN纳米薄膜的电学和光学性能的影响进行研究。通过计算发现，BN薄膜表面修饰F原子后，随尺寸增大它们的原子结构和能隙都有显著变化。本来位于同一平面的B原子和N原子发生了扭曲，处在了不同面；能隙结构由间接能隙转变成了直接能隙，能隙值整体减小。随层数增加，能隙值减小越多；原子间的键长改变，层内间距增大，层间间距减小，随层数增加这种变化越明显；部分Mulliken电荷从内部离开趋于结构的表面，使低于其内部。层数越多，BN表面的Mulliken 电荷值越低；从部分态密度（DOS）图发现掺杂了F原子之后，B、N原子都被杂化并且导带与价带之间的禁带宽度变窄，其共价性变弱。这种通过表面修饰和尺寸变化来调节材料电学性能和光学性能的方法为我们在纳米薄膜研究方面提供了新的思路，同时可能在未来的自旋电子器件和半导体光学器件方面有潜在应用价值。 以Materials Studio软件为基础，从大块的纤锌矿GaN结构中截取GaN纳米薄膜.表面修饰使得GaN薄膜能隙减小，并且能带结构由间接能隙变为直接能隙。随着尺寸的增加，薄膜的能隙减小。表面修饰使得薄膜层内键长比修饰前有所增加，层间键长比修饰前显著减小。随着薄膜尺寸的增加，修饰前薄膜层内键长增大，层间键长减小；修饰后薄膜层内键长先增大后减小，层间键长增大；修饰后H-N与Ga-F的键长随着尺寸的增加逐渐增加。表面修饰使得Ga原子失去的电荷增多，N原子得到电荷增多。随着薄膜尺寸的增加，Ga原子与F原子之间的电荷转移减小并且N原子与H原子之间的电荷转移也减小。表面修饰使得H原子的1s轨道对N原子的2p轨道产生杂化作用，F原子的2p轨道对Ga原子的4p轨道产生杂化作用 关键字：第一性原理；表面修饰；尺寸效应；电学性能；光学性能 第一章 前言 引言 目前，石墨烯具有高载流子迁移率、高机械强度、量子霍尔效应等奇特性质，使其在分子电子学、微纳米器件等领域有着重要的应用前景，作为与石墨烯共享相同蜂窝晶格结构的BN薄膜也引起了人们极大的研究兴趣[1]。由于本身特有的性质，BN薄膜在多个领域具有广泛应用，特别是在光学和电子方面的应用更具潜力。BN在紫外光（约从200 nm开始）到可见光再到红外光的很宽的波长范围内具有良好的透过率，再结合它的高硬度和稳定的化学性质，因而有望成为大功率激光器和探测器的首选材料。此外BN是具有宽能隙的非常重要的半导体材料，其具有发光效率高，电子漂移饱和速度高，热导率高，硬度大，介电常数小，化学性质稳定以及抗辐射，耐高温等性能。BN纳米材料对如太阳能光电板、大面积平板显示、发光二极管等电子器件在高温、高频、大功率、抗辐射方面性能的提升和特殊环境下的应用有着非凡的意义。大量研究表明高的表面体积比的纳米材料具有很多独特的电学、光学和磁学等性能[2]，这与纳米结构原子结构、尺寸和表面状态等因素有关。因此，研究尺寸依赖的表面改性的BN薄膜，对于研究和设计BN纳米结构的潜在应用具有很重要的意义。 1.1 氮化硼的概述 氮化硼是由ⅢA族元素B和ⅤA族元素N化合而成的共价半导体材料[3]。分子式为BN，化学组成为43.6% 的硼和56.4% 的氮，具有四种不同的变体： 六方氮化硼（h-BN）、菱方氮化硼（r-BN）、立方氮化硼（c-BN） 和纤锌矿氮化硼（w-BN）。四种晶体中，六方BN较软。 1.1.1 氮化硼的结构 氮化硼与碳有相似的结构[4]。既有类似金刚石结构的sp3键构成的相，又有累世石墨结构的sp2键构成的相。BN有三种不同的结构[4]，即立方晶系闪锌矿结构（c-BN，空间群：F43m）、六方晶系石墨结构（h-BN，空间群：P63/mmc）及六方晶系纤锌矿结构（w-BN，空间群：P63/mmc）。三种结构性能差别很大。h-BN与石墨相似，配位数为3，sp2型杂化状态（正三角形或曾片形）结构，所以密度很低（2.29 g/cm3）、质地十分软；w-BN和c-BN都是四面体杂化的共价键，B、N原子彼此形成四配位结构，故二者在硬度方面几乎没有什么差别。c-BN与金刚石所不同的是，金刚石中的结合键是单一的C原子间形成的共价键，而c-BN中的结合键是不同的B和N原子形成的共价键，并有一定的弱离子键。由于c-BN和金刚石在晶体结构上的相似和差异，从而使它们的性质既有相同的地方也有差异之处。例如它们的晶格常数非常相似，c-BN为0.3615nm，金刚石是0.3567nm。但是显微硬度（c-BN为39200～84280N/mm2，金刚石为（88200～98000N/mm3）、热导率【c-BN为1298W/(m?K)，金刚石为2093W/(m?K)】及光学能隙（c-BN为6.6～8.0eV，金刚石为5.47eV）等均有一