第3章(第5讲场效应管及放大电路.pptVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.81千字
  • 约 47页
  • 2019-10-25 发布于湖北
  • 举报
(2)放大电路分析 共漏放大电路 3. 小信号模型分析 (2)放大电路分析 3. 小信号模型分析 3.3 结型场效应管 3.3.1 JFET的结构和工作原理 3.3.2 JFET的特性曲线及参数 3.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 3.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么? 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS<0时 (以N沟道JFET为例) 当沟道夹断时,对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET,VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小,沟道继续变窄。 2. 工作原理 (以N沟道JFET为例) ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时, vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? (以N沟道JFET为例) ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时,导电沟道更容易夹断, 对于同样的vDS , iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档