第五章 场效应管放大电路.pptVIP

N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： vDS 0； vGS 正、负、零均可。 iD/mA vGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 符号 S G D B (b)输出特性 iD/mA vDS /V O +1V vGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 5.3.4 P沟道MOSFET 1. P沟道增强型MOS管的开启电压VT 0 当UGS VT ，漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2. P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VT ＞0 VT 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，漏-源之间应加负电源电压。 S G D B P沟道 S G D B P沟道 种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 结型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 增强型 S G D S G D iD vGS= 0V + vDS + + o S G D B vGS iD O VT 　各类场效应管的符号和特性曲线 + vGS = VT vDS iD + + + O iD vGS= 0V - - - vDS O vGS iD VP IDSS O vGS iD /mA VP IDSS O 种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 P 沟道 增强型 耗尽型 ID S G D B vDS iD _ vGS=0 + _ _ O iD vGS VP IDSS O S G D B ID S G D B ID iD vGS VT O iD vGS VP IDSS O _ iD vGS=VT vDS _ o _ vGS= 0V + _ iD vDS o + Home Next 例5.3.1 已知各场效应管的输出特性曲线如图所示。试分析各管子的类型。 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 * 第五章 场效应管放大电路 第五章 场效应管放大电路 5.1 结型场效应管 5.2 结型场效应管放大电路 5.3 金属氧化物场效应管 5.4 金属氧化物场效应管放大电路 场效应管(Field Effect Transistor) ：只有一种载流子参与导电，故称单极型三极管。利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，是电压控制电流型器件。 特点 输入电阻高，功耗低 热稳定性好，噪声低，抗辐射能力强 制造工艺简单、易于集成 第五章 场效应管放大电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： D S G N 符号 5.1 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 5.1.1 JFET结构及符号 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 N 沟道场效应管 P 沟道场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 5.1.2 结型场效应管(JFET)工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 vGS 大小来控制漏极电流 ID 的。(VCCS) G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 *在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 1. vGS 对导电沟道的控制作用(vDS = 0) ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) vGS = 0 vGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 vGS 由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 vGS = VP