第八章(1)光刻原理和技术.ppt

第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 §8.1 引言 光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺 设计功能模块，利用软件在功能模块之间布线。 用工具检查是否有违反设计规则(design rule)。 用电路级和系统级模拟工具预测电路性能 从设计转移到掩膜版制备，用扫描电子束或激光束在光掩膜版上形成图形。 光学曝光，对硅片进行光刻。 Mask Definition 用一个工艺中所需要的光刻次数或者掩膜版的多少来衡量该工艺的难易程度。 一个典型的硅集成电路工艺包括20多块掩膜版 通常我们所说的0.13?m,0.09?m工艺就是指的光刻技术所能达到最小线条的工艺。 第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 光刻流程－Lithography Process 在硅片上涂一层光刻胶，经过曝光在某些区域感光，经显影后留下胶膜的图形，再把这层胶膜的图形作为掩膜，进一步对其下的SiO2进行腐蚀，或者进行离子注入等，把胶膜上的图形转换到硅衬底的薄膜上去。 光刻技术可分为三个部分 光源(light sources) 曝光系统