太阳能电池的制造.ppt

2）湿法刻蚀原理 3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O SiO2+4HF→SiF4+2H2O SiF4 +2HF→H2SiF6 大致的腐蚀机制是HNO3氧化生成SiO2，HF再去除SiO2。下面为化学反应方程式： 水在张力作用下吸附在硅片表面。 2.1干法刻蚀设备： 设备名称：MCP刻边机 设备特点： 1.采用不锈钢材质做反应腔，解决了石英体腔在使用过程中，频繁更换腔体带来的消耗。 2.电极内置，克服了射频泄露、产生臭氧的危害。 3.射频辐射低于国家职业辐射标准。 生产能力：一小时 1200PCS 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 干法刻蚀中影响因素： 主要是CF4，O2的流量，辉光时间，辉光功率。 右面表格为中式线所用工艺。 工作气体流量 （SCCM） 气压 （pa） 辉光功率 （W） 辉光颜色 O2 CF4 腔体内呈乳白色，腔壁处呈淡紫色 20 200 100 500 工作阶段时间（S） 抽气 进气 辉光 抽气 清洗 抽气 充气 60 120 600 30 20 50 60 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应（掺入O2，提高刻蚀速率）。 干法刻蚀工艺过程： 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 干法刻蚀生产流程： 生产注意事项： 禁止裸手接触硅片； 插片时注意硅片扩散方向，禁止插反； 刻蚀边缘在1mm左右； 刻蚀清洗完硅片要尽快镀膜，滞留时间不超过1h。 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 KUTTLER设备外观及软件操作界面 2.2湿法刻蚀设备 主要结构说明： 槽体根据功能不同分为入料段、湿法刻蚀段、水洗段、碱洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽体的功能控制在操作电脑中完成。 产品特点： 有效减少化学药品使用量 高扩展性模块化制程线 拥有完善的过程监控系统和可视化操作界面 优化流程，降低人员劳动强度 通过高可靠进程降低碎片率 自动补充耗料实现稳定过程控制 产能： 125mm*125mm硅片：2180片/小时 156mm*156mm硅片：1800片/小时 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 槽体布局及工艺： 操作方向，带速1.2m/min 上片 上料位 去PSG槽 刻蚀槽 水槽 碱槽 水槽 酸槽 水槽 吹干 下料位 槽号 2#槽 3#槽 4#槽 5#槽 6#槽 7#槽 8#槽 溶液 HF HF、HNO3 　 NaOH 　 HF、HNO3 　 作用 去PSG 刻蚀、背面抛光 　 去多孔硅 　 去金属杂质、使硅片更易脱水 　 温度 常温 4℃ 常温 20℃ 常温 常温 常温 湿法刻蚀影响因素：带速、温度、槽液内各药液浓度、外围抽风、液面高度等。 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 KUTLLER刻蚀设备特点： 先去PSG，后刻蚀。此种方法优点是避免了先刻蚀由于毛细作用，导致PECVD后出现白边。缺点是由于气相腐蚀的原因，在刻蚀后方阻会上升。 检测工艺点： 1.方阻上升在范围之内 2.减重在范围之内 3.3#槽药液浸入边缘在范围之内 4.片子是否吹干，表面状况是否良好 1.避免使用有毒气体CF4。 2.背面更平整，背面反射率优于干刻，能更有效的利用长波增加Isc。被场更均匀，减少了背面复合，从而提高太阳能电池的Voc。 湿法刻蚀优点： 湿法刻蚀影响因素： 带速、温度、槽体内各药液浓度、外围抽风、液面高度等。 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 湿法刻蚀生产流程： 生产注意事项： 禁止裸手接触硅片； 上片时保持硅片间距40mm左右，扩散面朝上上片，禁止放反； 刻蚀边缘在1mm左右； 下片时注意硅片表面是否吹干； 刻蚀清洗完硅片要尽快镀膜，滞留时间不超过1h。 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 CF4：无色无臭毒性气体。不燃，若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。吸入后可引起头痛、恶心呕吐、快速窒息等。 HF：无色透明至淡黄色冒烟的液体，有刺激性气味，具有弱酸性。腐蚀性强，对牙、骨损害较严重，对皮肤有强烈的腐蚀性作用。 HCL：无色透明液体，为一种强酸，具有挥发性。眼和皮肤接触可致灼伤，长期接触可引起鼻炎、皮肤损害等。 HNO3：无色透明液体，具有强氧化性、强腐蚀性，有窒息性刺激气味，在空气中冒烟，见光易分解生成NO2而显棕色。 NaOH：白色晶体，有强烈的腐蚀性，有吸水性，可用作干燥剂，溶于水同时放出