传感器原理与应用第2章应变式传感器.ppt

直流电桥的调平方法 （a） （b） （c） W R2 R3 R4 R1 W2 R2 R3 R4 R1 W1 W R2 R1 R3 R4 图2-15 交流电桥平衡调节 USR R2 R4 R1 R3 USC ~ C1 C2 C3 C4 USR R2 R4 R3 USC ~ R1 半导体应变电桥的非线性误差很大，故半导体应变电桥除了提高桥臂比、采用差动电桥等措施外，一般还采用恒流源. 2.4.3 恒流源电桥 I R2 R4 R1 R3 USC 图2-14 恒流源电桥 ← I1 I2 若右图所示的电路输入 阻抗较高，则有： I1 ( R1+R2 )=I2 ( R3+R4 ) I = I1+ I2 1. 电桥输出电压与电阻变化量的关系 解该方程组得: 输出电压为: 若电桥初始平衡，且R1=R2 =R3=R4=R，当第一桥臂电阻R1 变为R1+ΔR1 时，电桥输出电压为： 若满足ΔR1R1 ，则 输出电压与ΔR成正比，即与被测量成正比。 输出电压与恒流源供给的电流大小、精度有关，与温度无关。 使用恒流源的非线性误差为： 2. 非线性误差 若采用恒压源，非线性误差为： 2.5 固态压阻式传感器 2.5.1 压阻式传感器的结构与工作原理 用集成电路工艺技术，在硅片上制造出四个等值的薄膜电阻，组成电桥。当不受力时，电桥无电压输出；受力时，电桥失去平衡，输出与应力成正比的电压。 压阻式传感器的工作原理是基于半导体材料的压阻效应：当半导体（单晶硅）材料某一轴向受外力作用时，其电阻率会发生变化。详见本书2.1.3中的半导体应变片的工作原理。 2.5.2? 压阻系数 对半导体材料 对金属材料 电阻相对变化量 1. 压阻系数的定义 半导体电阻的相对变化近似等于电阻率的相对变化，而电阻率的相对变化与应力成正比，二者的比例系数定义为压阻系数。 压阻系数为: 影响压阻系数因素：扩散电阻的表面杂质浓度和温度。扩散杂质 浓度NS增加时， 压阻系数就会减 小。压阻系数与 扩散电阻表面杂 质浓度NS的关系 如图。 2. 影响压阻系数的因素? 120 140 100 80 60 40 20 1018 1019 1020 1021 表面杂质浓度NS (cm-3) P型Si(πl) N型Si(-πl) ? πl(×10-11m2/N) T=24℃ 压阻系数与表面杂质浓度NS的关系 1—N-Si膜片 2—P-Si导电层 3—粘贴剂 4—硅底座 5—引压管 6—Si 保护膜 7—引线? 2.5.3 固态压阻器件 利用固体扩散技术，将P型杂质扩散到一片N型硅底层上，形成一层极薄的导电P型层，再装上引线接点。若在圆形硅膜片上扩散出四个P型电阻，构成惠斯登电桥的四个臂，这样的敏感器件通常称为固态压阻器件。 1 2 3 4 5 6 7 2.6 应变式传感器应用举例 2.6.1 力（荷重）传感器 例2-1. 柱式力传感器 图2-19 柱式力传感器 F F 面积S -ε1 +ε2 -ε2 +ε1 截面积S F (a)实心圆柱 (b)空心圆柱 F 轴向布置一个或几个应变片，在圆周方向布置同样数目的应变片，后者取符号相反的应变，以构成差动对。由于应变片沿圆周方向分布，所以非轴向载荷分量被补偿。 由材料力学知识，在弹性限度内: 杨氏模量 面积 三式联立解得: 故 令 则: 弹性元件上应变片的粘贴和电桥连接，应尽可能消除偏心和弯矩的影响，一般将应变片对称地贴在应力均匀的圆柱表面中部，构成差动对,且处于对臂位置，以减小弯矩的影响 。横向粘贴的应变片具有温度补偿作用。 R6 R7 R8 R2 R3 R4 R5 图2-20 柱式力传感器应变片的粘贴与桥路连接 R1 (a) 圆柱面展开图 u0 U0 R1 R3 R5 R7 R6 R8 R2 R4 (b) 桥路连接 例2-2 梁式力传感器 (1) 等强度梁 (a) 等强度悬臂梁 F R4 R1 F h R1、R4 l R2、R3 一端固定，一端自由，厚度为h,长度l，固定端宽度为b0,力F 作用在三角形顶点。其表面应变为 ： 4只应变片 此位置上下两侧分别粘有4只应变片，R1、R4同侧；R3 、R2同侧，这两侧的应变方向刚好相反，且大小相等，可构成全差动电桥。 由于是全差动电桥，应有： 所以： 供桥电压 输出电压 杨氏模量 (2) 等截面梁 F R1、R4 R2、R3 h l (b) 等截面悬臂梁 R1 R4 b 4只应变片