射频微波功放器件非线性记忆效应测量与行为建模技术的新进展-论文.pdfVIP

第28卷 第2期 电子测量与仪器学报 Z．28 ，v0．2 2014年2月 JOURNALOFELECTRONICMEASUREMENTANDINSTRUMENTATIoN l13 · DOI：10．13382／j．jemi．2014．02．001 射频微波功放器件非线性记忆效应测量与 行为建模技术的新进展术 林茂六 (哈尔滨工业大学电子与信息工程学院信息工程系 哈尔滨 150001) 摘 要：将综述具有记忆效应的射频微波功放器件非线性表征、测量和行为建模的最新进展。首先通过比较连续波和脉冲 射频大信号测量实例，揭示 自热与电器记忆效应对射频微波功放器件性能的影响。然后介绍如何将 x参数行为模型扩展 到考虑了射频微波器件强非线性及长期记忆效应的动态x参数行为模型理论、实验方案和模型记忆核辨识实例。最后展 望了非线性长期记忆效应测量与行为建模技术的未来发展研究方向。 关键词：长期记忆效应；动态x参数；大信号射频测量；行为建模；记忆核 中图分类号：TN98 文献标识码：A 国家标准学科分类代码：470．4017 New progressonnonlinearmeasurementandbehavioralmodeling forRF poweramplifierswithmemoryeffects LinMaoliu (SchoolofElectronicsandInformationEngineering，HarbinInstituteofTechnology，Harbin150001，China) Abstract：Inthepaper，wewilloverviewnewprogressonnonlinearmeasurementandbehavioralmodelingforRF Poweramplifierswithmemoryeffects．Firsttheimpactofthermalandelectricalmemory effectsupontheperfomr — anceofaRFpoweramplifierswillberevealedbycomparingcontinuouswaveandpulsedRFlarge--signalmeasure-- ments．NextanextensionoftheX—parametersbehavioralmodeltoaccountofrhardnonlinearandlong．temr memory effectsofRFandmicrowavecomponentswhichiscalleddynamicX-parametersbehavioralmodelwillbepresented． Herenonlinearbehavioralmodel’Smathematicalderivations，experimentschemeandmemory extractionmethodsare introduced．Finally．thefuturenonlinearmeasurementandbehaviormodelingdevelopmentiSalsoforecasted． Keywords：long—temr memory effects；dynamic X—parameters；largesignalmeasurement；behaviormodeling； memory kernel 即电子或空穴俘获和释放过 1长期记忆效应产生机制 鬈发(tr生ap 过程)。在一些复合半导体 材料 ，例如氮化镓 (GaN)、砷化镓 (GaAs)和半导 实验表明，射频 (RF)微波器件呈现出源于晶 体一绝缘体 (SOI)场效