射频电路设计技术第三章.pdfVIP

第第33章章 有源晶体管有源晶体管 • 从本质上讲，移动通信市场的成功，是 以半导体制造技术的发展与飞跃为基础 的，近年来电信业、移动电话业务的大 规模发展就是很好的例证。 • 本章首先介绍了用于当代射频电路的各 种各样有源晶体管，然后对其带宽、增 益、噪声、功率容量和线性度等关键射 频性能进行了对比与分析。 3.1 不同材料的比较 • 随着硅（Si）基和砷化镓（GaAs ）基化合物 半导体的发展，以及大量双极型、场效应晶体 管的出现，射频电路设计师可选择的有源晶体 管比以往任何时期都多。 • 设计师根据所设计电路的应用领域及有源晶体 管的规格要求，最终决定了选择什么工艺技术。 3.1.1 硅基材料简介 • 先进的、复杂的后期处理工艺及流程突破了大 多数硅技术存在的局限性。 • 硅基双极型晶体管技术及电路技术主要的突破 是： （1）最小化电容量的设计方法 （2）多金属层技术的发展与进步 • 多层金属化技术是：在物理意义上表示各金属 层彼此分开，而且各金属层的屏蔽电路的关键 元件不受导电性衬底的影响，并且在金属层之 间，引进低介电常数的绝缘层，从而降低了互 连电容量。 3.1.2 砷化镓基材料简介 • 与硅衬底相反，砷化镓衬底是半绝缘材 料，因此，不存在上述寄生电容、高损 耗或低Q因子的局限性。 • 砷化镓半导体技术的优势在于：它们固 有的射频性能比硅基双极型晶体管技术 优越得多，并且它们适用于制造光电子 集成晶体管。 3.2 双极型晶体管 • 大部分双极型晶体管是由硅制成的。 • 不过，砷化镓双极型晶体管由于工作频 率、高温工作特性和抗辐射性能等方面 的改善，而获得了很好的应用前景。 3.2.1 双极型晶体管的 历史简介 • 双极型晶体管是Shockley、Bardeen和 Brittain等人在1948年发明的。 • 就射频应用而言，在超高频（UHF）至 S波段的频率范围内双极型晶体管占统 治地位。 • 先进的双极型晶体管可在高至22 GHz频 率处产生有效功率，并可工作在Ka波段。 3.2.2 双极型晶体管的 工作原理 • 双极型晶体管是一种PN结晶体管，由背 靠背的结构所构成。双极型晶体管可看 成是一个具有基极、发射极和集电极的 三端晶体管，如下图所示： • 在正常工作条件下，发射极-基极间的 PN结处于正向偏置，而集电极-基极之 间PN结处于反向偏置。在这种配置情况 下，电子将穿越发射极进入基极，并在 集电极扩散。 • 由于设计的基区厚度与少数载流子扩散 长度相比较薄，几乎所有的电子都到达 集电极-基极之间的PN结。这些电子在 处于反向偏置的PN结中的强电场作用下 迅速到达集电极。因此，发射极和集电 极电流实际上是相等的。 3.2.3 双极型晶体管的 频率性能 • 双极型晶体管的工作特性由发射极、基 极和集电极中流过的电流控制电压来实 现，响应也受到加载于晶体管PN结间的 电压控制。 • 对最大频率响应而言，晶体管应工作在 大集电极电流和低集电极-基极电压的条 件下。 • 直流工作特性 双极型晶体管作为一个放大器，共有两 种情形： （1）共基极放大器 （2）共发射极放大器 • 共基极的输出特性 • 共发射极的输出特性 • 射频工作特性 晶体管的集总式元件等效电路如下图 所示： • 截止频率 1 f T 2 eff • 欲要截止频率值大，晶体管应具有高的 直流增益、小的基极电阻、小的PN结间 电容，并应当工作在大电流状态。 • 反过来，这意味着晶体管应当具有