第9章 半导体二极管及其电路.pptVIP

* * 第9章 半导体二极管及其电路 9.1 半导体的导电特性 半导体的三大特性： （1）热敏性： 如锰、钴、镍的氧化物 （2）光敏性： 如镉铅的硫化物与硒化物 （3）掺杂性： 如硅、锗材料 1. 本征半导体 （1）晶体结构： 完全纯净的、晶格完整的 半导体称为本征半导体。 图1 Si的原子结构 （2）共价键 ① 空穴与自由电子的形成 ② 两种载流子： 电子电流 空穴电流 自由电子和空穴称为载流子。 图2 共价键结构图 图3 本征激发产生电子-空穴对 2. 杂质半导体 (1) N 型半导体 (2) P 型半导体 掺入五价杂质元素（如磷） 图4 N 型半导体共价键 图5 P型半导体共价键 掺入三价杂质元素（如硼） 多数载流子为自由电子 多数载流子为空穴 注意：不论N 型或P型半导体，本身呈中性，不带电。 9-2 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 当扩散与漂移达到动态平衡， 即扩散力与内电场力相平衡时，形成稳定的PN结。 图6 载流子的扩散 图7 PN结的形成 （1）多子的扩散 多子的扩散形成空间电荷 区（耗尽层），即PN结。 （2）少子的漂移 内电场作用，产生与扩散方向 相反的少子漂移，PN结变窄。 （3）动态平衡 2. PN结的单向导电性 （1） PN结加正向电压 (正向偏置)， 导通 图8 PN结加正向电压 PN结平衡被打破，外电场 削弱内电场作用，扩散继续进 行，形成扩散电流I。 进入对方的多子和原来的离 子中和，PN结变窄，结电阻减 小，势垒降低，扩散持续进行。 少子形成的漂移电流很小， 可忽略。 （2） PN结加反向电压 (反向偏置)， 截止 图9 PN结加反向电压 外电场使内电场的作用加强，则 P区的多子空穴（N区电子）离 开PN结，耗尽层加宽，势垒加 强，扩散难以进行，无扩散电流。 两电场作用使少子漂移，此 电流很弱，近似为0。此电流称 为反向饱和电流。 PN结正偏，呈低阻性，有较大的正向扩散电流； PN结反偏， 呈高阻性，有较小的反向漂移电流。此为PN结的单向导电性。 I≈0↑ (3)PN结的伏安特性 图10 PN结的伏安特性 3.PN结的反向击穿 电击穿：高电压、小电流击穿，可 逆。如稳压管。 热击穿：高电压、大电流击穿，PN 烧毁，不可逆。 4.PN结的电容效应 (1)势垒电容—势垒区的电荷存储和离开，类似于充放电产生 的结电容。PN结反偏时，耗尽区宽，势垒强，其值较大。 (2)扩散电容—PN结正偏时，载流子扩散中的积累或减少所 　　产生的结电容。 9.3 半导体二极管 1. 结构：（P224） 图文符号： 点接触型：工作电流小，高频性能好，应用于小功率高频场合。 面接触型：工作电流较大，工作频率较低，应用于整流。 平面型：工作电流大，应用于大功率整流和数字电路开关元件。 （1）按材料分：硅管和锗管。 （2）按结构分：有点接触型，面接触型和平面型 三类。 （3）按用途分；整流管、发光管、光电管、稳压管等。 硅二极管的伏安特性 图1 2CZ52A 硅二极管 图2 2AP2 锗二极管 2. 二极管的伏安特性： 图3 温度对伏安特性的影响 3. 主要参数： （1）最大整流电流Ｉom 允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向工作峰值电压ＵRM 最大工作电压，确保管子不被击穿的反向峰值电压。 （3）反向峰值电流ＩRM 　　 工作于ＵRM时反向电流。其值越大，说明管子的单向 导电性能差，受温度影响大。 （4）最高工作频率 f M 管子的导电性能明显退化时交流信号的频率。管子外 加高频电压时，受PN结电容效应的影响。 ４．应用：整流，检波，限幅及开关等。 （1）检　波 图4由RC微分电路（P122） 和二极管组成的检波电路。 根据输入画出输出波形。 图4 检波电路 图5 二极管的检波应用 ?(=RC)＜＜ tP _________ （２）钳　位 （３）续　流 图6 二极管的钳位作用 图7 二极管的续流作用 例：求下图所示电路的输出电压。设二极管导通电压UD=0.7V。 Uo=1.3V Uo=-2V *