《英文翻译--MSP430单片机的flash读写设计》-毕业设计（论文）.docVIP

MACROBUTTON MTEditEquationSection2 SEQ MTEqn \r \h SEQ MTSec \r 1 \h SEQ MTChap \r 1 \h MSP430单片机的flash读写设计 Kripasagar Venkat, Uwe Haensel MSP430应用手册 摘要：MSP430系列单片机在微控制器中占有相当大的比重，它是一种以只读存储器和闪存器为基础的单片机。理解MSP430单片机的flash读写设计对于进行高效耐用、可靠的系统设计是非常重要的。对于闪存的可信度来说，数据保留的时限是相当关键的。在这篇应用手册中，对于MSP430单片机的flash读写设计进行了详细的叙述，其中有关温度的影响占了很重要的一部分。在这篇文章中讨论到的知识点，对于以闪存器为基础（即F型）的或者存储器结构的MSP430系列单片机都适用。 1 引言 通常来说，存储器被很广泛地分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。这两种类型表现是不同的，而且每一类都有各自的优缺点。Flash存储器是ROM和RAM的混合型，兼备这两种类型的优点。Flash存储器具有超低的功耗，有电可编程、快速读取的功能，同时展示出高密度、不易失的特点。Flash存储器是以扇区形式存储的，同时只能够以扇区形式进行擦除。对于MSP430系列单片机来说，主存储器Flash的每个扇区是以512字节为长度的。因为Flash存储器是电可编程的，所以它需要有足够的电压才能进行有效地擦除和编程。在Flash擦/写操作的整个进程中，必须维持一定的电压以确保操作的可靠性。这个问题将在下一个章节中详细地讨论。对于Flash的其他限制就是编写或擦除的数目，这将对Flash的损耗产生直接的影响。此应用手册说明了确保Flash操作成功的关键之处，以及导致Flash出现故障的因素。 在极端的气候条件下，数据如何保留是主要关注点之一。在这篇应用手册中，重点强调了flash数据保留的基本要素和影响存储参数的因素，以及说明了闪存器进行数据保留的各种优势，同时也提出了如何控制MSP430系列单片机的缺陷。 2 MSP430Flash存储器特性 被设计在MSP430单片机中的厚氧化物分裂栅电池，和其它Flash电池（如薄氧化物分裂电池和薄氧化物双晶体管电池）比较，具有在数据保存和持久性能方面上的优势。这种类型更容易制造，而且依据数据保存时限的要求，比薄氧化层型的产生的不合格品更少。 2.1 Flash存储器编程 对于MSP430闪存器的任一地址，每一字节擦除的位置都是logic 1。对于MSP430闪存器的任一地址，用户在进行写/编程前，对其实行擦除操作是很重要的也是极其需要的。绝大多数MSP430系列单片机在正式出厂前都完全清除了主存储信息（然而信息存储器可能存有一些工厂的测试数据）。 2.1.1 编程技巧 为了减小在系统设计中的不利影响，下段中列出了一些需要遵循的片外及片内规则。不遵守这些规则中的任意一项，将会导致Flash存储器的擦/写不可靠，进而可能产生无法估计的系统故障。 （1）内部要求 对MSP430单片机进行高效的程序编写，需要控制两个关键量：工作电压和Flash主时钟频率。对于单片机MSP430F1xx系列和大多数单片机MSP430F4xx系列来说， 存储器的工作电压必须不低于2.7V。对于MSP430F2xx和MSP430F5xx系列单片机来说，所需的最低工作电压分别为2.2V和1.8V。特别是电量应用方面，电池容量必须满足存储器最小工作电压和擦/写模式所需的工作电流。单片机MSP430F1xx、和MSP430F4xx系列所需的主时钟频率为257~476kHZ，然而MSP430F5xx系列单片机已内部固定好时钟频率。对于每个MSP430系列的单片机，Flash擦/写周期数有实际的限制（范围是10000周期）。 （2）外部要求 只有获得MSP430单片机编程证书的程序操作员，才能够减少Flash存储器损耗的风险。定期地检查出磨损的编程槽也能够确保进行长期编写。如果通过JTAG（Joint Test Action Group;联合测试行动小组）接口或boot loader（在操作系统内核运行之前运行的一段小程序）方式在线编程，编程操作应在生产周期结束时进行。机械加工（例如模块封装）应在编程之前完成。 Flash的完整性需要被校验，其中很重要的一步就是进行核实。定期校验程序也是相当关键的。对于一些MSP430F2xx, MSP430F4xx和 MSP430F5xx 系列的单片机, 采用边沿读取模式使定期校验程序更容易。将带和不带有此特点的定期校验程