在接近脱附的电位下,会出现微分电容的峰值,可以通过电容与吸附分子在电极上的复盖度的关系来说明。 设复盖度θ表示被吸附分子占据电极表面的分数,则未被复盖的电极的自由表面的分数为(1-θ)。 设自由表面上的电容为C,吸附表面上的电容为C’,显然C C’。假设电极表面上总的电荷密度为上述两部分表面上电荷密度之和,则 如将C和C’视为常数,将上式对 微分,可得出整个电极的微分电容 曲线左侧脱附边界的电位下,由于处在零电荷点的左方,故 0(假定 =0),随着的 增大而 减小, ,因而 。 c 曲线右侧脱附边界的电位下,由于处在零电荷点的右方,故 0(假定 =0),随着的 增大而 增大, ,因而 。 因此,无论曲线的左侧还是右侧,上式中最后一项也总是正的。 而在吸附区的边界上,电位很小的一点变化,就将引起有机分子的急剧脱附,故 的数值很大,所以这时微分电容数值也必很大,于是就出现了两侧的电容“峰值”。 可以根据电容峰值出现的电位,粗略地估计表面活性物质的脱附电位。
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