计算机组成原理第6章3.pptVIP

6.5 计算机元器件技术展望 6.5.1 关于摩尔定律寿命的讨论 6.5.2 纳米电子器件 6.5.3 量子计算机 6.5.4 光学计算机 6.5.5 超导技术 6.5.6 生物计算机 6.5.1 关于摩尔定律寿命的讨论 元器件的进步一直是计算机技术不断发展、计算机性能不断提高的积极因素之一。在电子计算机的发展过程中，现代科学技术，尤其是电子技术总是不断地为人类最重要的工具──计算机提供最先进的技术装备，使得电子计算机得到了惊人的发展。从第一台电子计算机诞生到现在仅仅只有50年的时间，电子计算机也已经历了真空管、晶体管分立元件、集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路等五代。微元件技术的进步，又反过来使得电子计算机系统的设计和应用环境发生了深刻的变化。元件的微小化，使得电子计算机的记忆能力显著增强、运算速度急剧提高。表6.3为30多年间 微处理器芯片集成度的发展以及对应的影响运算速度的关键指标的主频提高的状况。表中所显示的CPU的集成度不断提高事实，有力地表明摩尔定律的正确。 但是，就在人们为摩尔定律的成果欢欣鼓舞的时候，另外一些人却对摩尔定律到底还有多长的寿命提出了挑战。 线宽是芯片集成度的主要制造工艺指标。有人研究表明，当集成电路线宽小于0.1μm时，热噪声电压引起的雪崩击穿和强电场、隧穿现象随距离缩短而呈指数增加、以及随着集成度提高而产生的耗散热量的急剧增高，将非常突出。同时光刻技术难度和成本问题也会成为传统大规模集成工艺的极大障碍。因而迫切需要另辟蹊径。 不过，也有人认为，微电子技术理论上的极限来自光传输速度、量子力学的测不准原理和热力学第二定律，进入亚0.1μm开发时期后，到器件工作原理方面的极限还有很长的路可走，当前还可以在工艺方面找到突破。例如，美国威斯康星大学采用亮度高峰（Bright-peak）技术，通过增强的X光进程的调整掩模和晶片之间的空间，刻出20nm的芯片来。而业界巨头Intel也正在兴致勃勃地研制新一代CPU芯片，并计划最近几年内连续推出90nm、65nm、45nm的芯片，2010年前后推出32nm和20nm的芯片。 不过，微电子技术迟早会有一个极限到来。摩尔自己也只保证，摩尔定理还有十年左右的寿命。 6.5.2 纳米电子器件 纳米（nm）本来是一个长度单位，1 nm=10-9m。但是，由于在这个尺度上基础物理结构上所表现出来的奇异特性，引起了人们极大的研究兴趣。同时，由于这个尺度上所表现的物理特性既区别于宏观世界，又不同于微观世界，而被冠以独特的名称——介观（mesoscopic）世界，表明它是介于宏观与微观之间的特殊世界：从宏观世界开始，不断走向微观，当考察的尺度到达介观世界时，就会发现这时所看到的物质已经到了几十个原子或分子组成的“超分子”级。这些超分子级的物质已经无法区分它们是晶态（长程有序）、液态（短程有序）或气态（完全无序），这种特殊状态被称为纳米态。 在纳米态，超分子内部产生强关联性，使其熔点、磁性、导电性、发光性和水溶性等都发生了大幅度的变化。例如，电子通过纳米圆环所组成的电路时，它的行为将不再遵循欧姆定律，而表现出AB效应（关联性）。当超分子增大时，强关联性又消失。这些超分子材料就是纳米材料。它们一方面对光完全透明，体现了微观世界的量子效应；另一方面，它们又可以作为宏观世界的极小单元，可以用于构造宏观物质。在计算机技术方面，它们非常有可能成为分子尺度的晶体场效应管MOSFET的替代物。 由于大多数MOSFET都是由掺杂硅形成掺杂区。当MOSFET大时，杂质原子与硅原子数之比率非常之小；而当晶体管尺寸很小时，杂质原子的数量就要相应地减少，不再可能像现有的晶体管有那么多的电子流和空穴流来完成晶体管的功能。当晶体管接近分子尺寸时(即几到几十纳米)，固体材料的整体特性将弱化而呈现出原子团的量子力学特性。这时掺杂半导体的许多特性就不那么明显，而隧穿与能量量子化等效应却显著起来。这样一种现象，虽然破坏了原来MOSFET赖以工作的条件，但正好可以利用这些新的特性制作钠米晶体管。目前已经有三种按此思路设计的钠米电子器件。 1. 单电子晶体管(Single-Electron Transistor，SET) SET是一种新型的开关器件，它利用可控的电子隧穿来放大电流。SET是由共用一个电极的两个隧道结构成。一个极薄的绝缘层(约1纳米)隔开两片金属就形成一个隧道结。一个SET是由两个隧道结串联而成的。这两个隧道形成了一个“库仑岛”。电子只能借助于隧穿而穿过两个绝缘层的任何一个。 像通常的场效应晶体管那样，该器件有三个端头：两个隧道结的外端和一个栅极端。该栅极与两个隧道结间的结点