JC备课4PVD薄膜材料薄膜技术4th.pptVIP

4.1.3 合金膜的蒸镀 对于两种以上元素组成的合金或化合物，在蒸发时如何控制成分，以获得与蒸发材料化学计量比不变的膜层？ （1）瞬时蒸发（闪烁蒸发）法： 瞬时蒸发示意图 将细小的合金颗粒，逐次送到非常高温蒸发器中，使一个一个的颗粒实现瞬间完全蒸发。如果颗粒尺寸很小，几乎能对任何成分进行同时蒸发，获得成分均匀的薄膜。 （2）双源或多源蒸发法： 分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，使到达基片的各种原子与所需合金薄膜的组成相对应。 转动基板，使薄膜厚度均匀。 4.2 脉冲激光沉积（Pulse Laser Deposition, PLD) 将高功率脉冲激光束聚焦作用于靶材表面，使靶材表面产生高温及熔蚀，并进一步产生高温、高压等离子体，这种等离子体定向局域膨胀发射并在衬底上沉积而形成薄膜。 PLD装置示意图 等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射 等离子体吸收激光束能量，形成在靶面法线方向的高温和压力梯度并沿法线方向进行等温和绝热膨胀，形成细长的等离子体区，即等离子体羽辉。 激光等离子体与基片表面相互作用 离子流相互作用图 1-入射光流；2-热区 3-激射逆流；4-基片 5-凝聚物质 在衬底表面沉积成膜 （3）PLD沉积特点： 可制备与靶材成分一致的多元化合物薄膜； 激光能量高度集中，可制备难熔材料的薄膜； 易在较低温度下原位生长的织构薄膜和外延单晶薄膜； 可制备高质量纳米薄膜或纳米材料； 换靶装置灵活，易实现多层膜及超晶格薄膜的生长； 设备效率高、可控性好、灵活性大； 不易制备大面积薄膜、激光成本高、表面熔滴形成。 （4）实例介绍：PLD制备YBCO 薄膜 The YBa2Cu3O7-X(YBCO) films were deposited using a KrF excimer laser operating at 248 nm and a pulse repetition rate of 2 Hz on LaAlO3 substrates. The distance between the target and the substrate was about 3.5 cm. The laser fluence varied between 2.7 J/cm2 and 4.4 J/cm2 (see Table I). 4.3 溅射镀膜（Sputtering） 离子与固体表面的相互作用 依入射离子能量的不同，引起三种现象： 沉积（E ≤500eV)； 溅射(E≥500eV)； 　　物质的溅射 　　二次电子发射 注入(E≥1000eV) 4.3.1 溅射的基本原理 溅射是轰击粒子与固体原子之间能量和动量转移的结果。 溅射：荷能粒子与固体（靶材）表面相互作用过程中，发生能量和动量的转移，当表面原子获得足够大的动能而脱离固体表面，从而产生表面原子的溅射。 （1）物质的溅射现象： 溅射的碰撞机制： 单原子碰撞机制： 当入射离子的能量比较低时，表面原子的溅射以单原子碰撞机制为主。 线性级联碰撞机制： 当入射离子的能量比较高时，表面原子的溅射以线性级联碰撞机制为主。 气体放电：汤生放电、辉光放电（正常辉光放电和异常辉光放电）和电弧放电。实际镀膜过程采用异常辉光放电。 （2）入射离子的产生： 可提供面积较大、分布均匀的等离子体，有利于实现大面积均匀溅射薄膜。 入射离子轰击靶材时，平均每个正离子能从靶材打出的原子数为溅射产额（ ）。 入射离子能量影响： ＜150eV，平方关系；150eV-10keV，变化不大；＞10keV，下降。 （2）溅射产额： M1、M2:分别为入射离子和靶材原子的质量； U0:靶材表面束缚能，eV; E:入射离子的能量，eV :无量纲参数 入射离子的种类影响： 溅射产额随入射原子序数增加而周期性增加。 Ne Ar Kr Xe 入射原子序数 离子入射角度的影响： 随入射角增加而逐渐增大（1/cosθ规律增加），然后减小，60-70o 最大。 材料（靶材）特性的影响： 与元素的升华热有关，呈明显周期性；随外层ｄ电子数的增加，溅射产额提高。 靶材温度的影响： 一定温度范围内关系不大，温度达到一定值后，溅射产额急剧上升。 Cu：3d104s1；Ti：3d23s2 表面氧化的影响： 表面轻微氧化时导致产额增加，表面严重氧化时形成比较厚的氧化层将大大降低溅射产额。 合金化的影响：溅射导致合金表面成分的偏析。 能量呈麦克斯韦分布，最可几能量为几个eV左右。溅射原子能量与靶材、入射离子种类和能量有关。 Z大溅射原子逸出时能量高，Z小逸出的速度高。 同轰击能量下，溅射原子逸出能量随入射离子的质量而线形增加。 溅射原子平均逸出能量随入射离子能量的增加而增大，达到某一高值时，平均能量趋于恒定。 （3