电力电子-第2章.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * P-MOSFET特性曲线 I D V GS V GSth (d)转移特性 I D V DS V GS=0 V GS1=4 V GS2=8 V GS3=10 (e)输出特性 Ⅰ Ⅱ Ⅲ V BR P－MOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述： 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 在不同的UGS下，漏极电流ID 与漏极电压UDS 间的关系曲线族称为VDMOS的输出特性曲线 。如图2.6.2所示，它可以分为四个区域： 1）截止区：当UGS＜UT(UT的典型值为2~4V)时； 2）线性(导通)区：当UGS＞UT且 UDS很小时，ID和UGS几乎成 线性关系。又叫欧姆工作区； 3）饱和区(又叫有源区)： 在UGS＞UT时， 且随着UDS的增大，ID几乎不变; 4）雪崩区：当UGS＞UT，且 UDS 增大到一定值时； 1、静态输出特性 图2.6.2 VDMOS管的输出特性 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET * 2.6 绝