电容器主要不良情况原因分析.pptVIP

主要不良情况原因分析 一、低容 1.箔比容偏低(一般为正箔); 2.L(开片长度)偏低; 3.芯包未含浸透; 4.正负箔未对齐; 5.断片(接头); 6.用错箔。 二、高容 1.箔比容偏高(一般为正箔); 2.L(开片长度)偏长; 3.用错箔。 三、DF（损耗）大 1.测试仪故障; 2.芯包未含浸透; 3.用错电解液(电导率是否正常); 4.用错电解纸(纸的密度与厚度越大,损耗越大); 5.温度影响(标准温度25℃,温度越低,损耗越大); 6.接触电阻偏大(主要检测卷绕铆接,铆盖、盖板端子与铝柱的铆接; 7.正负箔未对齐; 注:双引出条结构的产品损耗相对较小,适用于低压高容量的产品。 四、LC（漏电）大 1.充电不充分:a.时间不够;b电压不够; 2.工艺卫生不到位,产品被污染:阳极腐蚀 3.存放时间过长:a.芯包暴露时间过长;b正常产品存放时间过长未使用(无法自愈); 4.正箔的质量; 5.温度越高,漏电越大;施加电压越大,漏电越大。 五、漏液 1.封口质量:a.卷边不良封口有褶皱、锯齿；b封口高度偏高,盖板无压痕、转盖板； 铝壳质量： a.铝壳有砂眼、防爆阀压槽太深,有漏液隐患; b.铝壳壁厚δ不均,易封口不良(卷边厚薄不均有褶皱、锯齿）而漏液。 盖板质量：盖板端子处。 六、短路 1.箔(特别是正箔,引线切口有毛刺:a.分切;b.卷绕;c用剪刀剪(处剪纸箔齐断的不良品); 2.