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第3章 半导体器件模型与电容、电感 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 金属-氧化物-半导体场效应管(MOS场效应管) N沟道增强型MOS场效应管 P沟道增强型MOS场效应管 s g d s g d N沟道耗尽型MOS场效应管 P沟道耗尽型MOS场效应管 s g d s g d 2、N沟道增强型MOS场效应管的共源伏安特性 ①共源输入伏安特性 uGS为自变量，iG为因变量，uDS为参变量的曲线族 uGS 0 iG ②共源输出伏安特性 可变电阻区 放大区 截止区 uDS=uGS–UGS(th) iD uDS 0 uGS=UGS(th) uGS=2UGS(th) IDO uDS为自变量，iD为因变量， uGS为参变量的曲线族 i2(t) 0 i1(t) 1 受控电源关联两条支路——控制支路与受控支路 受控电压源受控支路的电压与流过本支路的电流无关，但与控制支路的电压或电流存在约束；受控电流源受控支路的电流与本支路两端的电压无关，但与控制支路的电压或电流存在约束 受控电源的参考方向——应将控制支路与受控支路的参考方向一起标出，没有控制支路的参考方向，受控电源的参考方向没有意义 关于受控电源 在电路中一般习惯将控制支路与相邻支路合并而不单独画出 例1，求图示电路的I + _ 6V 3Ω 3Ω 3A 3I1 I I1 6V电压源单独作用所产生的电流分量I′ + _ 6V 3Ω 3Ω 3I1′ I′ I1′ 3A电流源单独作用所产生的电流分量I〞 3Ω 3Ω 3A 3I1〞 I〞 I1〞 叠加 例2，求图示电路的I 2U 5Ω 10Ω _ + U I 9A 2U 5Ω 10Ω _ + U I 9A 2Uoc 10Ω 9A Uoc _ + I=0 求端口开路电压Uoc时I=0 5Ω电阻以外的含源电阻单口网络 10Ω 9A U=0 _ + Isc U 求端口短路电流Isc时U=0→2U=0 -9A -0.5Ω 5Ω I 电阻分流电路 作业(P157-159)：4-5、4-15 3.3 晶体管模型 1、晶体管 晶体管分为NPN型与PNP型 e b c e b c NPN型晶体管 PNP型晶体管 2、NPN型晶体管的共射伏安特性 ①共射输入伏安特性 uBE为自变量，iB为因变量，uCE为参变量的曲线族 iB uBE uCE=0.5V uCE=1V uCE=0V 关于共射输入伏安特性 类似于二极管的伏安特性 uCE 增大时，输入伏安特性略为右移；uCE 对iB的影响较小，曲线族非常密集，可以近似为一条曲线 ②共射输出伏安特性 uCE为自变量，iC为因变量， iB为参变量的曲线族 uCE iC iB= 20?A iB= 0 iB= 40?A iB= 60?A iB= 80?A 放大区 饱和区 截止区 关于共射输出伏安特性 放大区——uCE uBE Uon，输出伏安特性近似为等间隔平行线，iC与iB表现出比例关系；每条曲线随uCE的增大而略有抬升 饱和区——uCEuBE但uBEUon，iC与iB不再满足比例关系；uCE受电流影响较小接近常数 截止区—— 只要uBEUon，iB、iC和iE均为零 晶体管的共射放大偏置——发射结正向偏置，集电结反向偏置 放大偏置时，NPN型晶体管的电压关系——UCE UBEUon 3、晶体管模型 晶体管应用电路中，偏置和输入小信号共存 + + _ _ ΔuI uO Rc Rb UCC UBB RL + + _ _ ΔuI uO Rc Rb UCC UBB RL 输入回路非线性部分——晶体管输入特性 输入回路线性部分——输入负载线 + + _ _ ΔuI uO Rc Rb UCC UBB RL 输出回路非线性部分——晶体管输出特性 输出回路线性部分——输出负载线 晶体管的直流等效电路 IB UBE UCE IC IB= 40?A IB= 20?A IB= 60?A IC 0 IB 1 Uon IB UCE + _ UBE + _ IC + + _ _ UBE UCE IB IC UCE UBEUon 晶体管的小信号等效电路 uCE iC iB= 40?A iB= 20?A iB uBE iB= 60?A Q ΔuBE ΔiB Q ΔuCE ΔiC iC 0 iB 1 Q ΔiB ΔiC 放大区静态工作点Q附近 + + _ _ ΔuBE ΔuCE ΔiB ΔiC ΔuBE + + _ _ ΔuCE ΔiC rce rbe ΔiB UA为厄利电压，一般UA=50~100V 例1，图示晶体管共射放大电路中，β=100，UA→∞。求(1) 静态工作点；(2) ΔuI =10sint mV时的uO + _ uO 5.1k 24k 12V ΔuI + _ 1V 静态分析—— 12V与1V作用的电路—