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浅议高压变电所屏蔽电缆接地 摘要：高压变电所内屏蔽电缆屏蔽层的正确接地，对降低外部电 磁场对微机型二次设备的干扰水平，起着重要作用。该文浅议屏蔽电 缆屏蔽层一点、两点接地对电磁场屏蔽的机理，并提出了两点接地时 应注意的问题。 关键词：电磁干扰;单点接地;两点接地 引言： 近年来，耐受电磁干扰能力极低的微机型二次设备，在高压变电 所中得到了广泛的应用，为保证微机型二次设备在这样一个高强度电 磁场、强电磁干扰环境下的安全可靠运行，需要在两方面取得一致， 一是这些二次设备应具有一定的耐受电磁干扰的能力，二是必须确保 进入设备的电磁干扰水平必须低于设备自身的耐受水平。后者要求电 力设计及相关部门对可能的最大干扰值预测，并采取各种切实可行的 措施。 结合产品的特点合理地进行地线设计，是性价比最高的抗干扰措 施。这也是各级电力部门制定的二次反事故措施反复强调二次地线设 计的原因。本文对二次地线设计中比较重要的屏蔽电缆接地进行简要 分析。 1?屏蔽电缆接地 屏蔽电缆屏蔽层不接地、一点接地、两点接地将直接影响屏蔽电 缆电缆芯的电场屏蔽、磁场屏蔽效果。 1.1屏蔽层接地产生的电场屏蔽 由于两根平行导线之间存在耦合电容，屏蔽层与电缆芯也存在耦 合电容，这样电场耦合会产生串联干扰，如图1、图2所示(虚线表 示屏蔽层接地)假定一根为理想屏蔽电缆，置于干扰电路中。不考虑 干扰源导线对电缆芯的耦合，则源导线的干扰电压U1会通过C12耦 合到屏蔽层上，再通过C23耦合到芯线上。 芯线上耦合电压为 〃2=占卍乂；2+1八5 ⑴ 如果屏蔽层接地，C3被短接，C3为8,则U2=0,即U1通过C23 被屏蔽层短路接地，切断了耦合到芯线上的路径，从而起到了电场屏 蔽的作用。 如果屏蔽层不接地,根据文献[3], C12=(n e 0)/[ ln(2h/r)], h为两导线间距，r为导线半径。 由于屏蔽电缆t值比普通电缆大，耦合电容C12值更高，再根据 式(1 )产生的耦合电压U2也更高，其结果是不仅不能降低电场干扰 水平，而且将比采用普通电缆产生更大的电场干扰。 可以看出对抑制电场干扰来说，屏蔽层必须接地，两点接地可靠 性高于一点接地。因为一点接地必须保证屏蔽层的完整无损。 lol?丄工图I接线图 lol? 丄工 图I接线图 (diMgram 图2等效电路图 ? 2 Kpiivahaiil i-inmil 1. 2屏蔽层两点接地对磁场的屏蔽 先分析电缆内芯线产生的磁场干扰如何被屏蔽层屏蔽。 设Us为干扰源，其产生的干扰电流II流过电缆芯，在屏蔽层感 应的屏蔽电流为12,如图3所示。 屏蔽电缆可认为是一个平行平面磁场，如图4所示。磁场的分布 与电缆的长度无关。电缆是圆的，它所产生的磁场对称于电缆的轴线, 据安培环路定律 - 1/ 二如/ (2) H卩冇2利?8二他人式中“二(人■厶)；r为电缆外? 点耒电缆中心距离；〃为电缆外一点磁场强度 则电缆外的磁感应强度应为 的F ⑶ 如果屏蔽电缆不接地或单端接地，则干扰电流从地面返回，屏蔽 层上无电流通过，即12=0,屏蔽层不起作用。 当屏蔽层两端接地，则屏蔽电缆的芯线和屏蔽层之间可等效为一 个互感耦合电路，设互感为M,如图5所示，接地点为E1点和E2点, II在E2将分为12和IG经E1流回源点，屏蔽层中的电流为12= j? + On■武中心仆即右 j? + On ■武中心仆 即右 在理想傭况卜mg 弋入式2 ?可血? 即使不是理想状态，也可明显降低对屏蔽电缆外部磁场干扰水 平。 2）同理，在屏蔽层两点接地的条件下，当电缆被外部干扰电流 产生的磁通包围时，在电缆屏蔽层将感应出方向相反的电流和磁通， 将抵消外部干扰电流产生的干扰磁通对电缆芯的影响。理想状态 BS。 3）综上所述，屏蔽层通过两点接地对磁通包围屏蔽电缆产生的磁 场干扰形成一个法拉第笼，使其内部芯线受干扰程度显著降低。 图J接线图 图J接线图 Kip. 4 Cwmrrlion diagram 等效电路图 Fig. 5 Equivalent circuit 1?3屏蔽层两点接地应注意的问题 如果屏蔽电流不是由于磁通包围屏蔽电缆产生，如两个接地点地 电位不等产生屏蔽电流，将引起额外的冲击干扰电压。这是因为如果 两个接地点地电位不等，其产生的干扰电流必然会流过屏蔽层，通过 屏蔽层与缆芯的转移阻抗回路耦合到电缆芯上，形成附加干扰。 这就要求对此干扰水平进行预测，就高压变电所而言，对全所接 地电阻有严格要求，且大部分二次设备为强电输入，模拟量回路也加 装了滤波电容。根据运行经验，只要接地电阻满足相关规程要求，地 电位差引起的附加干扰不会影响设备运行。如果特殊情况不满足要 求，可通过技术经济比较采用如下两种方法：一是并行敷设大截面铜 导体，降低电位差，二是采用双层屏蔽电缆，