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数字电路与系统 第三章、逻辑门电路 Part 2 第三章 习题 （第五版教科书） 3.11；3.12；3.1； 3.21；3.16；3.17；3.18；3.13 3.20；3.7-(a,b,c)；3.29；3.28 习题 （如果采用第四版教科书） 2.1；2.2 2.3；2.5；2.6；2.10；2.14 2.16；2.17；2.21；2.23 第三章 逻辑门电路 §3.1 分立元件门电路——二极管和BJT三极管 §3.2 TTL门电路 §3.3 MOS-FET元件的开关特性 §3.4 CMOS门电路 §3.5 TTL电路与CMOS电路的接口 §3.3 MOS-FET元件的开关特性 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor §3.3 MOS-FET元件的开关特性 MOS管开关特性（续） 在漏极（D）和源极（S）加电压VDS，如果栅极（G）和源极之间的电压VGS=0，由于源极漏极之间相当于两个PN节背向相连，电阻很大，所以DS不导通，iD=0 ； 当VGS大于某个电压值 VGS(th) 时，电子被吸引到栅极下面的衬底表面，形成了N型反型层，构成了DS之间的导电沟道，当外加电压时，DS间将有电流形成。 VGS(th) 称为开启电压。 为防止漏极电流直接流入衬底，常将衬底与源极相连。 §3.3 MOS-FET元件的开关特性 MOS管开关特性 §3.3 MOS-FET元件的开关特性 MOS管符号的四种类型 §3.3 MOS-FET元件的开关特性 MOS管符号的简化画法 §3.4 CMOS门电路 CMOS Complement Metal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体 提纲： CMOS非门的结构与原理 CMOS逻辑门（及其扩展） CMOS逻辑门电路系列 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 CMOS非门 由参数对称的增强型N沟道和P沟道MOS FET构成； 通常称为互补型MOS逻辑电路。 CMOS非门 电源VDD大于两管开启电压绝对值之和，即VDD＞（VGS(th)N+|VGS(th)P|）， VGS(th)N = VGS(th)P ； Vi=0V时，T2截止，T1导通，T2的截止电阻约为500MΩ，T1的导通电阻约为750Ω，所以输出VO≈VDD，即VO为高电平； Vi=VDD时，T2导通，T1截止，T2的导通电阻约为750Ω，T1的截止电阻约为500MΩ，所以输出VO≈0V，即VO为低电平； 电路实现了非逻辑。 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 电压传输特性 设：CMOS非门的电源电压VDD=10V， 设：两管的开启电压为VGS(th)N=|VGS(th)P|=2V。 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 电流传输特性 输入特性 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 输出特性 低电平输出特性 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 输出特性 高电平输出特性 §3.4.1 CMOS非门的结构与原理 功耗 §3.4.2 CMOS逻辑门 输入端数目增加时，与非门串联的NMOS管数目要增加，引起输出低电平变高； 或非门串联的PMOS管数目增加，引起输出高电平变低； 解决方法在输入输出端分别加入反相器作缓冲级。 §3.4.2 CMOS逻辑门 带缓冲级的或非门 §3.4.2 CMOS逻辑门 漏极开路（OD）与非门 §3.4.2 CMOS逻辑门 传输门（续） 用途 模拟开关 传输连续变化的模拟信号 数字量控制 双向器件 双向传输 §3.4.2 CMOS逻辑门 CMOS三态门 （三种结构） 增加一对可控制的NMOS和PMOS管，互补控制； 在反相器的基础上增加一个控制管和一个或非门（或者：与非门）； 反相器输出端串联CMOS模拟开关。 CMOS三态门 结构1： §3.4.3 CMOS逻辑门电路系列 基本的CMOS — 4000系列 早期的CMOS集成逻辑门产品 工作电源电压范围为3～18V 功耗低、噪声容限大、扇出系数大 速度较低，平均传输延迟时间为几十ns，最高工作频率小于5MHz 高速的CMOS — HC（HCT）系列 制造工艺上作了改进，减小电路电容，大大提高工作速度 平均传输延迟时间小于10ns，最高工作频率可达50MHz HC系列的电源电压范围为2～6V HCT系列的主要特点是与TTL器件电压兼容 电源电压范围为4.5～5.5V 器件的逻辑功能、外形尺寸，引脚排列相同 CMOS逻辑门电路的主要特点 功耗 CMOS电路的功耗很小； 传输延迟 4000系列传输延迟较大，一般为每门几十ns，74HC系列的工作速度与TTL系列相当。 扇出系数 扇出系数是指驱动CMOS门电路的个数；