信息纳米技术与其应用CH2纳米粉料.pptVIP

3.2.4 纳米固体光学性质 与纳米微粒一样，存在光吸收带蓝移、红移、吸收谱宽化、新发射峰、激子吸收和发射等特性。需强调的是纳米固体中界面的影响： （1）界面体积分数高，界面原子排列混乱，材料的平移周期性在许多区域受到严重破坏，电子能级出现新状态，出现常规材料中不能产生的新发光现象。 （2）界面比例大，界面中存在大量不同类型的悬键和不饱和键，在能隙中形成附加能级（缺陷能级），会引起新的发光现象。 （3）界面中原子的有序度较低，为杂质离子提供偏析位置，在能隙中形成杂质能级，产生杂质发光现象。杂质离子：Fe3+, Cr3+, V3+, Mn2+, Co2+, Ni2+等。 * 蓝移： 量子尺寸效应，能隙增加；表面张力增加→键长减小→键本征振动ν增加；晶场效应（晶场增加）→能隙上升。 红移： 介电限域效应→能隙下降；内应力增加→电子波函数重叠增加→能隙下降；电子限域，R＜αB，激子吸收；附加能级，如缺陷能级，使电子跃迁的能级间距减小。 红外吸收谱宽化： 尺寸分布效应，颗粒表面张力不同→键长有一个分布；界面效应，界面体积比较大，界面有许多悬键，原子排列差别大，键长有较宽分布。 * 3.2.5 纳米固体的磁学性能 高Hc、低Tc，临界尺寸超顺磁性等性能与纳米微粒一致。 巨磁阻效应（GMR）(Giant Magneto Resistance): 具有各向异性的磁性金属材料，在磁场下电阻变化的现象。 MR=ΔR/R=[R(H)-R(0)]/ R(0) 如: (Fe/Cr)n, 3nm/0.9-1.8nm, 多层膜，30-60层， ΔR/R 约50%。 研究目标：提高ΔR/R；降低出现GMR效应时的外加磁场HS，即提高巨磁阻灵敏度： MR/ΔH；提高出现GMR效应的工作温度。 * 巨磁阻效应 材料体系： 颗粒膜：Ag系: Co-Ag, Fe-Ag, FeNi-Ag Cu系: Co-Cu, Fe-Cu, FeCo-Cu 多层膜：Ni80Fe20/Cu, Cu为1nm 时GMR最大。 Fe/Cr多层膜。 如：[Co(0.4nm)/Ag(4nm)/NiFe(4nm)/Ag(4nm)]15 在低磁场下，NiFe层磁矩相对颗粒反转，产生GMR，在4.2k时，MR=30%，HS=400A/m * 3.2.6 纳米固体电学性能 (1)纳米金属与合金的电阻(导) 电阻与粒径的关系: 纳米金属的ρ随d↓而↑, ρ比常规材料高。 如：室温下，Pd 粗晶， ρ≈22μΩ.cm 25nm Pd, ρ≈30μΩ.cm 12nm Pd, ρ≈58μΩ.cm b. 阻-温关系 普通金属，R-T满足MATTHISSEN关系： R=R0（1+αT）， ρ= ρ0 (1+αT），α0 对于纳米金属，上述关系成立，随d↓，α ↓，ddc时， α0 * 如：纳米Pd d=40nm, α=4×10-3/k d=22nm, α=3×10-3/k d=12nm, α=1.5×10-3/k 纳米 Ag d=20nm, α=7×10-4/k d=11nm, α=-1.2×10-3/k * (1)纳米金属与合金的电阻(导) * * 原因： (1)电阻是杂质、缺陷、晶界等对电子的散射，阻碍其运动。散射包括晶内和晶界两部分。晶粒较大时以晶内散射为主；R-T关系接近常规材料；晶粒越小，晶界散射越强，电阻越大。 (2)当粒径小于某一值时，量子效应出现，晶粒内部对电阻率贡献大大提高，粒径下降，电阻升高。 (3)温度上升，混乱排列的界面趋向饱和， α减小。温度再继续上升，界面原子逐步有序化，散射作用减弱。同时，附加能级中电子向导带跃迁，产生导电电子。出现负α。 * σ(ω)∝ ωn 对于纳米非晶Si3N4(15nm),在低频下,n 0.65-0.7,在高频下,n 1.51-1.63 σ随温度升高而下降,然后又上升的非线性可逆变化。 原因:电导随T升高而下降,是由于界面及晶粒内部原子热运动对电子散射增强所致.随温度的进一步升高,界面中原子排序趋向有序化,使界面对电子散射减弱，σ增加.另,纳米微粒能隙中有许多附加能级,有利于电子进入导带,使电导增加。 （2）交流电导σ(ω) * 例： 掺Pt(1at%)的TiO2纳米的交流电导-T谱。 原因：Pt在TiO2能隙中(3.2eV)附加了Pt杂质能级。 * (3) 纳米固体介电特性 特点:ε和tanδ与晶粒直径有很强的依赖关系，电场频率对介电特性影响较大。 ①纳米材料ε 随测量频率下降，上升明显；普通材料上升较小； * ②低频范围内， ε 明显地随晶粒直径而变化，有一个最大ε 的直径存在